Дырочный механизм

Cтраница 3

В полупроводниках мы четко различаем электронный механизм тока, создаваемого электронами, заброшенными тепловым движением или светом в зону свободных уровней, и дырочный механизм тока, обязанного своим происхождением освобождению некоторого числа уровней у верхнего края заполненной полосы. [31]

На границе с металлом, обладающим меньшим контактным потенциалом, чем прилегающий к нему полупроводник, в последнем возникает слой повышенного сопротивления при дырочном механизме тока и слой повышенной электропроводности при электронном механизме. [32]

Четыре случая контакта металла с электронным и дырочным полупроводниками. Образование слоев повышенной ( а, г и пониженной ( б, в электропроводности на границе металла с полупроводником. [33]

В результате энергия разрыхления WU - - AU оказывается в рассматриваемом случае все же меньшей, чем для чистого растворителя, даже с точки зрения дырочного механизма диффузии и самодиффузии. Представляется, правда, маловероятным, чтобы заметная часть атомов примеси была постоянно связана с такими дырками-спутниками. [35]

Следует иметь в виду, что определение подвижности носителей тока и их концентрации при помощи эффекта Холла возможно лишь в полупроводниках или с ярко выраженным электронным, или дырочным механизмом проводимости. [36]

Для точечных триодов применяется германий с электронным механизмом проводимости, так как при этом обеспечиваются большие значения коэффициента усиления по току, С другой стороны, применение германия с дырочным механизмом проводимости позволяет осуществлять вдвое большие рабочие частоты. Это объясняется тем, что подвижность электронов в германии более чем в 2 раза больше подвижности дырок. [37]

Основу для зонной структуры энергетического спектра современная теория видит в периодичности кристаллической решетки, приводящей к периодической структуре волновой функции, в спою очередь определяющей законы движения свободных электронов и дырочный механизм тока. Между тем опыт показывает, что такая же зонная структура спектра наблюдается у аморфных и жидких полупроводников и что в этих телах, лишенных дальнего порядка, имеется как электронный, так и дырочный механизм проводимости. Более того, опыт показывает, что основные свойства полупроводника в первую очередь определяются ближним порядком - характером взаимодействия атомов или молекул, образующих данное тело, с ближайшими соседями. [38]

Между тем опыт показывает, что такая же зонная структура спектра наблюдается в аморфных и жидких полупроводниках и что в этих телах, лишенных дальнего порядка, имеется как электронный, так и дырочный механизм проводимости. Более того, опыт показывает, что основные свойства полупроводника в первую очередь определяются ближним порядком - характером взаимодействия атомов или молекул, образующих данное тело, с ближайшими соседями. [39]

Изучение электрических свойств показало, что группа высокопроводящих халькогенидных стекол по ряду таких признаков, как температурная зависимость электропроводности, большие значения термоэлектродвижущей силы и в особенности внутренний фотоэлектрический эффект, являются типичными электронными полупроводниками с дырочным механизмом проводимости. Таким, образом, халькогенидные стекла являются весьма интересной группой веществ, в которой сочетаются свойства как стекол, так и кристаллических тел полупроводников. Это, несомненно, интересно как в научном, так и в практическом отношениях. [40]

Такую картину коллективного перемещения группы частиц можно развить в несколько другом направлении так, чтобы рассматриваемая центральная частица ( своя или чужая) была не ведущей, а ведомой, подобно тому как это имеет место в дырочном механизме диффузии в кристаллах. [41]

Зависимость электропроводности закиси меди с различным содержанием избыточного кислорода ( возрастает с увеличением номера кривой от температуры. [42]

В кристаллических решетках ионного типа избыток электроположительных атомов металла, легко отдающих свои электроны, создает электронный механизм тока, тогда как электроотрицательные ионы кислорода или серы связывают некоторое число электронов, уменьшая концентрацию электронов кристаллической решетки; это приводит к дырочному механизму перемещения зарядов. Работа, необходимая для освобождения электронов электроположительными атомами, или работа закрепления электронов на электроотрицательных примесях обычно значительно меньше работы диссоциации электронов в основной pefaeTKe кристалла. Поэтому при сколько-нибудь заметном присутствии примесей именно они определяют и величину и знак проводимости полупроводника. [43]

Если же примеси могут связывать электроны, отрываемые в результате теплового движения от атомов ( или молекул) кристаллической решетки, превращая эти атомы в положительные ионы ( такие примеси называют акцепторными), то получается полупроводник р-типа, обладающий вакансией для электрона, - полупроводник, как говорят, с дырочным механизмом проводимости. Полупроводники TiO2, V2O5, CdS, CdSe, HgS, Hg2S, CdO, ZnO, Ag2S, CsS, WOs, A12O3 проявляют проводимость преимущественно n - типа, а полупроводники Cu2O, Ag2O, CU2S, SbjSa, Те, Se, HgaO, MnO, CoO, NiO, SnO - проводимость р-типа. К таким полупроводникам принадлежат Si, Qe, PbS, PbSe, PbTe, SiC, FejS и др. Так, в германии примеси элементов V группы периодической системы ( мышьяк, сурьма), обладающих одним избыточным валентным электроном по сравнению с германием, являются донорными примесями; они и придают германию свойства полупроводника n - типа. Примеси элементов III группы ( индий, галий), содержащих на один валентный электрон меньше, чем германий; обусловливают дырочную проводимость и придают германию свойства полупроводника р-типа. [45]

Страницы: 1 2 3 4