Дырочный механизм

Cтраница 2

Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 208 кдж1Г - ат, перемещение дислоцированного атома 966 кдж / Г - ат и при обменном механизме 1680 кдж / Г - ат. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [16]

В фотоэлементах металлический электрод заряжается отрицательно, когда мы имеем дело с дырочным механизмом тока в полупроводнике. В фотоэлементах с электронным механизмом тока металл заряжается положительно. [17]

Селенид ртути имеет электронный механизм проводимости, никакие попытки получить его с дырочным механизмом проводимости до сих пор не увенчались успехом. [18]

Схема возникновения дырочной проводимости в полупроводниках. [19]

В гфимесных полупроводниках путем соответствующего подбора легирующих добавок можно искусственно создать электронный или дырочный механизм проводимости. [20]

В примесных полупроводниках путем соответствующего подбора легирующих добавок можно искусственно создать электронный или дырочный механизм проводимости. [21]

Иными словами, расплавленная закись железа, как и твердая, является чистым полупроводником с дырочным механизмом проводимости. [22]

Безактивационный механизм самодиффузии в жидкостях также основан на представлении о коллективном движении частиц в жидкости и подобен дырочному механизму диффузии в кристаллах. [23]

Следует отметить, что практически в зависимости от степени чистоты селена ксерографические пластины бывают не только с дырочным механизмом проводимости, но и с электронным и смешанным. [24]

Струк - фибриллами, имеют форму цилиндрических ка-турная модель налов. При активации в парах воды возникает углеродного во - развитая пористая структура. Размеры ци-локна. линдрических микропор, рассчитанные по изо. [25]

Имеющиеся данные позволяют сделать вывод о том, что в интервале 1200 - 3200 С проводимость волокна имеет преимущественно дырочный механизм. По-видимому, рост концентрации дырок связан в отсутствие бора с образованием дефектов структуры при испарении, разрывом поперечных связей внутри отдельных надмолекулярных образований и связанным с этим ростом элементов углеродной структуры. [26]

В отличие от HgSe теллурид ртути имеет типичный полупроводниковый температурный ход электропроводности и может обладать как электронным, так и дырочным механизмом электропроводности. [27]

Энергии активации носителей тока для халькогенидных стекол. [28]

Определение знака носителей как по термоэлектродвижущей силе, так и по фотоэлектродвижущей силе показало, что в изучавшихся системах имеет место дырочный механизм проводимости. [29]

Если в рассматриваемых гидратах происходит диффузия молекул Н20, следует ожидать, что как и для большинства кристаллов, наиболее вероятным является дырочный механизм диффузии с использованием молекулярных вакансий по Шоттки. [30]

Страницы: 1 2 3 4