Дырочный механизм

Cтраница 4

Если же примеси могут связывать электроны, отрываемые в результате теплового движения от атомов ( или молекул) кристаллической решетки, превращая эти атомы в положительные ионы ( такие примеси называют акцепторными), то получается полупроводник р-типа, обладающий вакансией для электрона, - полупроводник, как говорят, с дырочным механизмом проводимости. Полупроводники ТЮ2, V205, CdS, CdSe, HgS, Hg2S, CdO, ZnO, Ag2S, CsS, WO3, A12O3 проявляют проводимость преимущественно п: типа, а полупроводники Cu2O, Ag2O, Cu2S, Sb2S3, Те, Se, Hg2O, MnO, CoO, NiO, SnO - проводимость р-типа. К таким полупроводникам принадлежат Si, Ge, PbS, PbSe, PbTe, SiC, Fe2S и др. Так, в германии примеси элементов V группы периодической системы ( мышьяк, сурьма), обладающих одним избыточным валентным электроном по сравнению с германием, являются донорными примесями; они и придают германию свойства полупроводника n - типа. Примеси элементов III группы ( индий, галий), содержащих на один валентный электрон меньше, чем германий, обусловливают дырочную проводимость и придают германию свойства полупроводника / э-типа. [46]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные процессы: перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм; осуществим наиболее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал / г-атом и при обменном механизме 400 ккал / г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [47]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные процессы: перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм осуществим наиболее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал / г-атом и при обменном механизме 400 ккал / г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [48]

Кроме дырочного механизма возможны и такие диффузионные процессы - перемещение дислоцированного атома из одного междуузлия в другие ( пока он не попадет в дырку и успокоится) или - два соседних атома взаимно меняются местами. Дырочный механизм наиболее легко осуществим. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов: для дырочного механизма - 64 ккал / Г - ат, перемещение дислоцированного атома - 230 ккал / Г - ат и при обменном механизме - 400 ккал / Г - ат. Столь большая численная разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма; удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [49]

Энергетическая диаграмма контакта металл - электронный полупроводник при приложении внешнего напряжения. [50]

Такая энергетическая диаграмма характерна для дырочного полупроводника. Дырочный механизм электропроводности в электронном полупроводнике возникает за счет того, что при обеднении прикон-тактного слоя основными носителями заряда - электронами их концентрация здесь становится меньше концентрации дырок. Этот слой называют инверсным. [51]

Проводимость может иметь как ка-тионную ( по ионам Мг -), так и анионную ( по нонам О2 - или ОН) или смешанную ионно-электронную природу. Часто ток протекает по полупро-нодниковому дырочному механизму; соответственно отличают оксиды с проводимостью р-тнпа и л-типа. Электронная проводимость наблюдается для оксидных слоев на металлах группы железа и на хроме. [52]

Способность кристаллизоваться у ХС значительно выше, чем у оксидных. ХС относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. Электропроводность этих стекол ( в зависимости от состава) меняется от 10 14 до Ю-1 ом - - ем - и превышает электропроводность многих известных кристал-лич. При переходе из стеклообразного состояния в кристаллическое электропроводность халькогенидов может увеличиваться в 10 раз. В табл. 2 приведены данные об электропроводности и спектральном распределении внутр. [53]

Страницы: 1 2 3 4