Туннельный механизм

Cтраница 1

Туннельный механизм предполагает, что истинная энергия активации проводимости определяется энергией перевода электрона на возбужденный уровень, поэтому для полимеров с системой сопряженных связей энергия активации проводимости должна быть мала и с ростом степени сопряжения в макромолекуле стремиться к нулю. Эффективность туннельных переходов пропорциональна концентрации электронов на возбужденных уровнях, которая растет с температурой. [1]

Появление туннельного механизма пробоя может быть обнаружено по изменению знака температурного коэффициента пробивного напряжения. [2]

Требуется лишь туннельный механизм токопереноса. Более того, эти же квантово-механические формулы пригодны и для описания несверхпроводящих ТП, например сильно легированных ДБШ. [3]

У стабилитронов с туннельным механизмом пробоя шумы не возникают. [4]

В случае переноса электрона по туннельному механизму электронный перенос может произойти только между уровнями с одинаковой энергией. Разность энергии между электронными уровнями начального и конечного состояний при переносе электрона на расстояние R, [ AU ( R) ] соответствует энергии активации. [5]

Зависимость тока / Макс германиевого ТД от температуры при различных концентрациях носителей. [6]

Область вольт-амперной характеристики, обусловленная туннельным механизмом переноса носителей заряда, зависит от температуры в меньшей степени. Влияние температуры на ток / макс зависит от концентрации примеси. [7]

Оно указывает на то, что туннельный механизм завышает относительное значение близких столкновений по сравнению с далекими; относительно малые сечения реакции для больших углов обусловлены тем, что при далеких столкновениях туннельный механизм маловероятен. Расхождение отношений теоретических и экспериментальных полных сечений при 10 и 15 Мэв также указывает на это. Если радиусы достаточно малы и, следовательно, соприкосновение ядер не имеет места, то упомянутые здесь разногласия теории и эксперимента не зависят от величины радиусов ядер. [8]

Для объяснения внешнесферного переноса электрона предложен туннельный механизм: перенос электрона может происходить на расстояниях, значительно больших, чем те, к-рые соответствуют столкновению комплексов. Если окислит, р-ция сопровождается повышением к. [9]

Статическая вольт-амперная характеристика ( а и габаритные размеры туннельных диодов типа ЗИ301А - Г ( б и ГИ304А - ГИ305Б ( в. [10]

Вследствие этого в зоне перекрытия возникает туннельный механизм проводимости электронов через потенциальный барьер с высотой, превышающей энергию электрона. Диоды обладают высоким быстродействием, что обусловило широкое применение их в переключающих схемах. Туннельные диоды используют также для усиления и генерирования ВЧ колебаний. [11]

На участке характеристики, где действует туннельный механизм переноса носителей тока ( вся область отрицательных напряжений и начальный участок положительных напряжений, приложенных к диоду), сопротивление диода мало. С повышением положительного напряжения ток диода, достигнув значения / a max, начинает уменьшаться, а затем вновь монотонно возрастает. [12]

Существование же эффекта электронного мостика и туннельного механизма а также разряда НзО - ионов на поверхности адсорбата в описываемой [56, 26] форме разблагораживанием потенциала не доказывается и вообще представляется сомнительным. [13]

Точечный германпеный диод тина Д2. 1 - корпус in п.ш.. шц. материала. 2 - иглодержатель. /. - игла. / - кристалл Пе электронного типа проводимости. а - крпста. члодержатель. в - выводы. [14]

Ge в десятые доли ом-см определяется туннельным механизмом и рассчитывается по ф-ле г99о, - - 48о, где Uz - напряжение зино ] ювского пробоя, Q, ор - удельное сопротивление областей соответст - - венно п и уо-типа проводимости. При большем значении удельного сопротивления пробой обусловлен возникновением лавинного умножения носителей тока, и напряжение пробоя электронного и дырочного ПИ соответственно определяется эмпирич. [15]

Страницы: 1 2 3 4