Туннельный механизм

Cтраница 4

Идеализированная характеристика стабилитрона. [46]

В области напряжений ниже 6 в можно считать, что лавинный механизм пробоя уже практически не имеет места и действует только туннельный механизм. Таким образом, диодами Зенера можно называть, строго говоря, только низковольтные стабилитроны. [47]

ПЗУ данного типа можно считать новым поколением EPROM, в которых стирание ячеек памяти производится также электрическими сигналами за счет использования туннельных механизмов. Применение EEPROM позволяет стирать и программировать МК, не снимая его с платы. [48]

Вольт-амперная хар-ка туннельного диода. [49]

При увеличении положит, напряжения ( рис. 2, г) туннельный ток уменьшается в результате убывания плотности квантовых состояний в области туннельного механизма. Это соответствует участку отрицат. [50]

Малая величина этого изотопного эффекта позволяет предположить, что переход протона во время лимитирующей стадии осуществляется по классическому, а не по туннельному механизму. На это указывает также нормальная величина ( 8 - 10й л м 1 сек 1) предэкспоненциального множителя уравнения Аррениуса для этой реакции. [51]

В 1967 г. Чане с сотрудниками высказали гипотезу, что весь процесс переноса электронов в интервале температур 4 - 300 К определяется туннельным механизмом. [52]

Возможность переноса электронов между частицами в растворе связана главным образом с малой массой электронов и, следовательно, возможностью преодоления энергетического барьера по туннельному механизму, аналогично тому, как это предполагается для выделения а-частиц из ядра. Кроме того, малая масса приводит к чрезвычайно высокой подвижности электрона по сравнению с большинством других молекулярных частиц. Однако все эти преимущества значительно уменьшаются благодаря ограничениям, вносимым принципом Франка - Кондона. Так, в случае передачи электрона от Fe 2 к Се1 в водном растворе скорость теплового движения электрона около 5 - 10е см / сек и расстояние 10 А могло бы быть преодолено за время порядка 2 - Ю 14 сек. Скорости большинства частиц, принимающих участие в реакции ( а именно Fe2, Се4, Н20 и др.), около 3 - Ю4 см / сек, так что за это время они могут пройти расстояние не более 0 1 А. [53]

Возможность переноса электронов между частицами в растворе связана главным образом с малой массой электронов и, следовательно, возможностью преодоления энергетического барьера по туннельному механизму, аналогично тому, как это предполагается для выделения а-частиц из ядра. Кроме того, малая масса приводит к чрезвычайно высокой подвижности электрона по сравнению с большинством других молекулярных частиц. Однако все эти преимущества значительно уменьшаются благодаря ограничениям, вносимым принципом Франка - Кондона. Так, в случае передачи электрона от Fe2 к Се4 в водном растворе скорость теплового движения электрона около 5 - 10е см / сек и расстояние 10 Л могло бы быть преодолено за время порядка 2 - 1СГ14 сек. Скорости большинства частиц, принимающих участие в реакции ( а именно Fea, Се4, Н20 и др.), около 3 - Ю4 см / сек, так что за это время они могут пройти расстояние не более 0 1 А. [54]

Возможны различные модификации указанной схемы, например, колебательное возбуждение в состоянии Аг, затем переход в соответствующее состояние кривой А2 и далее переход на кривую А3 по туннельному механизму. [55]

Квазиомические контакты разделяются на две группы в зависимости от физического механизма, обеспечивающего их омические характеристики: с малой высотой потенциального барьера и ( более широкая группа) с туннельным механизмом протекания тока. Туннельные контакты в свою очередь подразделяются на два класса: пассивные на основе металлического слоя, образующего омический контакт с предварительно созданными областями проводимости п - или р - типов, и активные, у которых металл ( или один из компонентов сплава) после нанесения на поверхность полупроводника диффундирует в глубь него или сплавляется с полупроводниковым материалом, образуя области п - или р - типов. [56]

Страницы: 1 2 3 4