Туннельный механизм

Cтраница 2

Для объяснения указанных особенностей привлекаются представления о туннельном механизме реакций, которые учитывают квантовохимическую природу реагирующих частиц. С понижением температуры роль туннельных подбарьерных переходов должна возрастать по сравнению с аррениусовскими надбарьерными переходами. [16]

Поэтому обращенный знак пропускного напряжения сразу указывает на туннельный механизм выпрямления. [17]

Туннельным называется полупроводниковый диод, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через р-га-переход и в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. Туннельные диоды отличаются очень малым удельным сопротивлением р - и и-областей ( содержание примесей до 1021 см-3) и весьма малой толщиной р-ге-перехода. Примесные атомы образуют примесные зоны, причем примесная зона донорных атомов перекрывается с дном зоны проводимости в полупроводнике / г-типа, а примесная зона акцепторных атомов - с потолком валентной зоны в полупроводнике р-типа. [18]

Конструкции туннельных диодов. [19]

Туннельным называется полупроводниковый диод, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через р - n - переход и в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. [20]

Туннельное просачивание электрона через запрещенную зону. [21]

По имени Зинера, впервые указавшего на возможность туннельного механизма пробоя, этот эффект называется зинеровским пробоем. Опыты показывают, что в германиевых и кремниевых диодах, в которых концентрация носителей в менее легированной области не превышает 3 - Ю17 ел-3, из-за сравнительно большой толщины р - п-перехода вероятность туннельного просачивания оказывается ничтожно малой и зинеровский пробой не наблюдается. [22]

Большие значения R естественно объяснить переносом электрона по туннельному механизму, тем более, что отсутствует корреляция между R и зарядом комплекса. Например, R 3 А даже и в случае комплекса Fem ( CN) e, который заряжен отрицательно. [23]

При квазисвободных электронных носителях их движение происходит по туннельному механизму, не связанному с энергией активации. [24]

Большой интерес представляют твердофазные превращения, происходящие по туннельному механизму при низких температурах, близких в ряде случаев к абсолютному нулю. Эффекты механохи-мического воздействия на твердофазные превращения будут обсуждены позже в гл. [25]

Электрон переходит от одного иона к другому по туннельному механизму, сквозь потенциальный барьер. [26]

Разумно полагать, что данная реакция протекает существенно по туннельному механизму. Экспериментально не удалось количественно подтвердить этот вывод, хотя были получены данные, качественно согласующиеся с предсказаниями теории. Из этих данных следовало, что в случае частично дейтерированного ацетонитрила с радикалом взаимодействуют, по-видимому, только атомы легкого изотопа. [27]

Согласно принципу Франка - Кондона, перенос электронов по туннельному механизму возможен, только если атомные ядра и химические связи реагирующей частицы и продукта реакции находятся в одинаковых энергетических состояниях. Рассмотрим вновь окисление Fe2 и восстановление Fe3, а также равновесные взаимодействия этих ионов с их окружением. Сила, с которой ферри-ион, несущий больший положительный заряд, удерживает сольватную оболочку, больше, чем для ферро-иона. [28]

Световые характеристики вентильного фотоэлемента ( а и фотодиода ( б.| Спектральные характеристики.| Статическая вольт-амперная характеристика туннельного диода и ее параметры. [29]

Плоскостные полупроводниковые диоды с очень узким р-п переходом, имеющие туннельный механизм проводимости, называют туннельными диодами. [30]

Страницы: 1 2 3 4