Туннельный механизм

Cтраница 3

Действие обращенных диодов основывается на использовании обратной пробойной ветви ВАХ при туннельном механизме пробоя. Переход диода изготовляется из высоколегированного, но не вырожденного материала. Обратная ветвь ВАХ ( рис. 47, в) диода имеет большую кривизну, чем прямая ветвь, и используется более эффективно вместо прямой для детекторов, смесителей, умножителей электрических колебаний. Поскольку поменялись роли ( места) прямой и обратной ветвей ВАХ, диоды называют обращенными. [31]

Туннельным называется полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через электронно-дырочный переход, в характеристике которого имеется область отрицательного дифференциального сопротивления. [32]

Если бы, однако, перенос протонов в воде осуществлялся только по туннельному механизму, то подвижность и коэффициент диффузии гидроксоние-вых ионов имели бы значительно большие значения, чем найдено экспериментально. [33]

Уже было упомянуто, что в этих реакциях перенос электронов происходит по туннельному механизму; это означает, что электрон не преодолевает энергетического барьера, а просачивается через него. [34]

Очень большая величина КИЭ является признаком того, что перенос протона осуществляется по туннельному механизму. Согласно Беллу, кроме большого изотопного эффекта, критериями туннелирования являются также: 1) большое различие в энергиях активации переноса протона и дейтерона ( & ЕЯ) и малая величина отношения предэкспоненциальных множителей ( АН / AD) и 2) нелинейность аррениусовской зависимости в области низких температур. [35]

Этим названием новый прибор обязан тому, что перенос тока в нем осуществляется туннельным механизмом. [36]

В работе [551] для объяснения этого явления предложен механизм, основанный на представлениях о туннельном механизме переноса зарядов. [37]

Для переноса протона от одной молекулы воды к другой необходима соответствующая ориентация обеих молекул. [38]

В случае легких частиц, как, например, электрона, подобный перенос может осуществляться по туннельному механизму: волновая функция электрона распространяется через барьер, препятствующий переносу электрона, и, таким образом, имеется некоторая вероятность переноса электрона сквозь барьер без сообщения ему энергии активации. [39]

Ik D ( больше 10) возникают в тех случаях, когда перенос протона протекает по туннельному механизму, скорость которого сильно зависит от массы частицы. В этом случае наблюдается также изменение разности энергий активации с изменением температуры: с понижением температуры разность Е, - Ен возрастает. [40]

Цейтлин и Андерсон [255] показали, что если рассеяние в объеме при температурах выше гелиевых происходит как вследствие туннельного механизма, так и на точечных дефектах ( Целлер и Пол [259]), то температура, отвечающая плато теплопроводности, должна в небольшой степени зависеть от конкретного аморфного материала. Температура плато оказывается пропорциональной кубическому корню из отношения констант, описывающих силы двух механизмов рассеяния. [41]

Вольтамперная характеристика обращенного диода. [42]

Интересно отметить, что первая теория детектирования, основанная на представлении о барьерном слое, строилась на основании предположения туннельного механизма прохождения зарядов сквозь барьер. Однако эта теория не получила развития, так как сразу же было обнаружено, что знак детектирования, получающийся на основании этой теории, не совпадает с результатами непосредственных экспериментов. [43]

Зависимость H / D-изотопного эффекта от температуры. [44]

В этом случае при переносе протона реакция может идти как прямо через барьер активации, так частично и по туннельному механизму. При более высокой температуре большая доля реакции протекает прямо через барьер активации. Это означает, что эффективная энергия активации реакции как средняя величина между двумя различными процессами существенно зависит от температуры. [45]

Страницы: 1 2 3 4