Cтраница 1
Современные электронные микроскопы обладают высокой разрешающей способностью, однако успех исследования с помощью электронного микроскопа определяется не только качеством прибора, но и качеством приготовленного препарата. Необходимо считаться и с ограниченной проницаемостью объекта для электронов. Срез толщиной в несколько микрон, полученный с помощью обычного микротома, является уже непрозрачным при скоростях электронов, обычно используемых в современных микроскопах. Для наблюдения объекта в электронном микроскопе толщина среза не должна превышать 600 - 1000 А. [1]
Современные электронные микроскопы снабжаются бронированными вводами высокого напряжения. Это позволяет устранить вредное влияние внешних помех на работу прибора и значительно увеличить безопасность при его эксплуатации. [2]
Современные электронные микроскопы легко достигают разрешающей способности порядка нескольких ангстрем. Даже самые оптимистические оценки не позволяют в настоящее время надеяться, что в рентгеновской микроскопии ( голографической или обычной) удастся превысить это разрешение при использовании любых мыслимых рентгеновских источников. С другой стороны, есть основания считать, что в электронных микроскопах будущего удастся улучшить уже достигнутое высокое разрешение, а также успешно преодолеть проблему нагрева образца. [3]
Современные электронные микроскопы имеют разрешающую способность до 10 - м и увеличение около 106 раз. Препарат должен быть прозрачным для электронов. [4]
Современные электронные микроскопы и аналитические приборы должны давать большой объем информации об объекте. Поэтому необходимо разместить относительно большое число устройств вблизи объективной линзы. Это требует уменьшения физических размеров линзы. Поэтому необходимо уменьшить намагничивающую катушку, сохраняя число ампер-витков. Размер магнитной катушки, а следовательно, и размеры магнитной системы таким образом могут быть сильно уменьшены. [5]
Современный электронный микроскоп состоит из источника электронов - электронной пушки ( см. позиции / - 3 на рис. 41), в которой не только происходит эмиссия электронов, но и достигается увеличение их скорости за счет приложенного напряжения. [6]
Современные электронные микроскопы обладают высокой разрешающей способностью, однако успех исследования с помощью электронного микроскопа определяется не только качеством прибора, но и качеством приготовленного препарата. Необходимо считаться и с ограниченной проницаемостью объекта для электронов. Срез толщиной в несколько микрон, полученный с помощью обычного микротома, является уже непрозрачным при скоростях электронов, обычно используемых в современных микроскопах. Для наблюдения объекта в электронном микроскопе толщина среза не должна превышать 600 - 1000 А. [7]
Применение современных электронных микроскопов, а также усовершенствование методов приготовления препаратов для электронной микроскопии позволили более детально изучить тонкую структуру фагов. Оказалось, что она весьма разнообразна и у многих фагов более сложна, чем структура вирусов растений и ряда вирусов человека и животных. [8]
![]() |
Схема образования контраста изображения поликристаллического объекта, состоящего из субзерен разной ориентировки. [9] |
В современных электронных микроскопах наклон освещающего пучка для перехода к темнопольному изображению осуществляется с помощью отклоняющего поля. [10]
![]() |
Схема получении слепка о поверхности тронный луч. Как видно из формулы. [11] |
Разрешающая способность современного электронного микроскопа порядка 5 - 10 А, однако это только в том случае, если объект непосредственно исследуется под электронным микроскопом. При электронномикроскопическом исследовании структуры металлов такие малые величины не могут быть выявлены. Дело в том, что принцип формирования изображения на электронном микроскопе таков, что в направлении прохождения электронных лучей помещается исследуемый объект в виде тонкой пленки разной толщины. [12]
Исследования под современным электронным микроскопом непосредственно и убедительно подтвердили правильность нашей точки зрения относительно агломерации частиц кремнекислоты в стареющем гидрозоле ( ом. В очень чистых и устойчивых гидрозолях кремнекислоты, которые были приготовлены путем гидролиза четыреххлористого кремния и последующего электродиализа ( см. А. [13]
Высокая разрешающая способность современных электронных микроскопов позволяет наблюдать в благоприятных случаях отдельные детали объектов с размерами порядка десяти ангстрем. Это делает целесообразным применение таких микроскопов для исследования тел, свойства которых в сильной степени зависят от их внутренней поверхности, пористости и формы образующих их частиц. К такого рода объектам принадлежит широкий класс адсорбентов, непористых и крупнопористых носителей и катализаторов. [14]
Для перехода от изображения к общей дифракционной картине объекта в современных электронных микроскопах предусмотрено удаление ( без нарушения вакуума) апертурной диафрагмы и полюсных наконечников проекционной линзы. В микроскопе УЭМ-100 алертурная диафрагма приближается вплотную к объекту. Тогда при выключенных объективной, промежуточной и проекционной линзах микроскоп становится обычиым электронолрафом. [15]