Растровый электронный микроскоп - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Для любого действия существует аналогичная и прямо противоположная правительственная программа. Законы Мерфи (еще...)

Растровый электронный микроскоп

Cтраница 2


В растровых электронных микроскопах ( РЭМ; рис. 2) электронный луч, сжатый мага, линзами в тонкий ( 1 - 10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. Возникающее при элергронной бомбардировке пов-сти вторичные излучения ( вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл.  [16]

С помощью растрового электронного микроскопа можно получать изображение не только - структуры поверхности, но и ее потенциального рельефа.  [17]

Основное достоинство растровых электронных микроскопов состоит в том, что с их помощью можно очень быстро изучить большое число образцов, так как подготовка их весьма несложна, исследованию подвергаются практически обычные металлографические шлифы. Растровые электронные микроскопы, снабженные детектором возбуждаемого в образце рентгеновского излучения, используются для локального рентгеноспектраль-ного количественного анализа микроучастков образца. Такие приборы иначе называют рентгеноспектральными м и к р о а н а л и з а т о р а м и или микрозонд л ми. Характеристическое рентгеновское излучение, возбужденное в точке, на которую воздействует электронный зонд, попадает на кристалл-анализатор, разлагающий рентгеновское излучение в спектр. Из этого спектра можно выделить линии, характерные для заданного химического элемента.  [18]

Принцип работы растрового электронного микроскопа заключается в том, что, изменяя длину волны электронов, можно вызвать и зафиксировать или характеристическое рентгеновское излучение микрообъемов поверхности объекта, или поток вторичных электронов. Изображение в растровом микроскопе дается на экране катодно-лучевой трубки и синхронизировано со сканированием поверхности образца электронным лучом.  [19]

Микрофотографии с растрового электронного микроскопа, характеризующие микроструктуру поверхности, также значительно различаются. Поверхность скола игольчатого кокса имеет неоднородную структуру. Наблюдаются участки без определенной ориентации волокон, участки с плотно упакованными блоками и участки с ориентированными на большом протяжении волокнами и порами, повторяющими рисунок волокон.  [20]

С помощью растрового электронного микроскопа SEM-505 ( фирма Филипс, Нидерланды) на внутренней поверхности коррозионно-поврежденной трубы в непосредственной близости к каньону обнаруживаются локальные скопления неглубоких зародышевых язв.  [21]

Пучок электронов из специального растрового электронного микроскопа управляется ЭВМ.  [22]

В так называемых растровых электронных микроскопах рассматривается непосредственно поверхность или излом металлов.  [23]

24 Сферические и эллипсоидные частицы в зоне псевдобороздчатого рельефа в. [24]

При наблюдении в растровом электронном микроскопе частицы часто заряжаются, имея более сильную освещенность, как и у элементов поверхности, плохо проводящих электроны. Вокруг частиц имеется лунка. Она может быть ямкой правильной формы, повторяющей форму частицы и имеющей несколько больший размер, или иметь форму, вытянутую в направлении ее перемещения в процессе роста усталостной трещины.  [25]

26 Микростроение внутризеренного вязкого излома, X 1000. [26]

Очень большое применение получили растровые электронные микроскопы ( РЭМ), в которых изображение создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов.  [27]

Первые шаги в использовании растровых электронных микроскопов и голографии при исследовании резания древесины уже сделаны.  [28]

Современные приборы для МРА представляют собой растровые электронные микроскопы, оснащенные анализаторами рентгеновского излучения. Анализируемый участок поверхности выбирают, наблюдая изображение объекта во вторичных, отраженных или поглощенных электронах. Кроме анализа в точке растровая система позволяет получить распределение интенсивности излучения данного элемента вдоль выбранного направления на поверхности образца. Это делает метод МРА особенно полезным для контроля за концентрационными профилями катализаторов, получаемых пропиткой носителей растворами соединений каталитически активных элементов. Как известно, свойства таких катализаторов заметно зависят от равномерности распределения активных компонентов по зерну. Установить характер распределения элементов, концентрация которых составляет доли процента, другими методами анализа чрезвычайно сложно.  [29]

При систематическом исследовании с помощью растрового электронного микроскопа изломов материалов на основе переходных ОЦК-металлов, подвергнутых испытанию на одноосное растяжение в широком интервале температур испытания и претерпевших хрупко-пластичный переход [95], установлено, что все кажущееся многообразие видов поверхностей разрушения может быть описано как результат действия весьма ограниченного числа механизмов разрушения, модифицированных влиянием структуры материала и температурно-скорост-ных условий нагружения. Следует выделить следующие механизмы разрушения: скол, слияние пор, хрупкое межзеренное ( межъячеистое) разрушение.  [30]



Страницы:      1    2    3    4