Микроструктура - пленка
Cтраница 1
Микроструктура пленок Cu2S и CdS оказывает существенное влияние на свойства гетероперехода и фотоэлектрические характеристики солнечных элементов типа Cu2S - CdS. Несколькими исследователями были предприняты попытки установить количественную взаимосвязь между параметрами микроструктуры и наблюдаемыми фотоэлектрическими характеристиками элементов. [1]
Микроструктура пленок, содержащих капсулированные жидкости и твердые вещества, формируется после отлива слоя эмульсии или суспензии на формообразующую поверхность и существенно зависит от множества факторов: вязкости эмульсии ( суспензии), способа полива, вида подложки, режима сушки и удаления растворителей, размера и концентрации капсулированных частиц и других факторов. [2]
В результате неоднородности микроструктуры пленок их механические характеристики, пересчитанные на единицу толщины, показывают прямолинейную зависимость от толщины. [4]
На рис. 3 показана микроструктура пленок в начальной стадии их роста, а на рис. 4 - гистограммы размеров отдельных зерен. [6]
 |
Зависимость газонепроницаемости графитового цилиндра от величины давления. [7] |
На рис. 4 показана микроструктура пленки пироуглерода толщиной 0 18 мм. [8]
На схемах рис. 99 показаны возможные микроструктуры пленок. Тип структуры, выраженный схемой Г, образуется при получении и высушивании пленки на твердой поверхности. Вследствие того, что пленкообразующий раствор фиксируется на поверхности адгезионными силами, уменьшение его объема возможно только за счет толщины. [9]
Изложенные представления относятся к процессам формирования микроструктуры пленок, определяемой взаиморасположением и формой цепных молекул полимера. В самом деле формование пленок из растворов, наносимых на твердую подложку, само по себе уже связано с возникновением неоднородности микроструктуры верхнего, нижнего и глубинных слоев пленки. [10]
Электрическое поле оказывает влияние и на микроструктуру пленки, приводя к уменьшению размера зерен. [11]
Наличие взаимосвязи между электрическими свойствами, составом и микроструктурой пленок CdSe обусловливает зависимость их электрических свойств от метода получения и параметров процесса осаждения. Атомы Se создают в запрещенной зоне глубокие акцепторные уровни ( на расстоянии - 0 6 эВ от вершины валентной зоны), поэтому пленки не могут обладать проводимостью р-типа. [12]
 |
Типы микроструктур эфироцеллюлозных пленок. [13] |
Очевидно, это наиболее выгодный для эксплуатационных целей тип микроструктуры пленки. [14]
На рис. 13 ( см. вклейку) приведены фотографии микроструктуры пленок исходного полипропилена и образцов, содержащих фосфат свинца, капельки глицерина и пузырьки воздуха. Как видно из микрофотографий, частицы всех вводимых веществ располагаются в центрах сферолитов, размеры которых уменьшаются, а число - возрастает. [15]
Страницы: 1 2 3 4