Cтраница 4
При реактивном ионном распылении протекают реакции с осаждаемым веществом. В вакуумную камеру вводят дозированное количество реактивного газа ( О2, N2, CO, CH4) для того, чтобы он в зависимости от концентрации вступил в химическое соединение с распыляемым веществом или образовал с ним твердый раствор. Твердые растворы реактивных газов в металле пленки могут достигать более высоких концентраций, чем в массивных образцах, что позволяет получать пленки с необычными и полезными свойствами. Легирование тантала малым количеством азота ( до 5 %) является средством изменения микроструктуры пленок. [46]
Параметры процесса напыления ( вакуум в рабочей зоне, скорость конденсации, скорость протяжки и температура подложек) контролируют непосредственно на установке и корректируют, измеряя Нс, Нк, Вг магнитоупругость TJ ДЯК / ( Д / / /) и пороговые токовые характеристики магнитных элементов. Датчики контроля давления остаточного газа размещают неподалеку от зоны напыления. Увеличение давления свыше 10 - 4 Торр по сравнению с рабочим ( 10 - 5 - 10 - 6 Торр) вызывает окисление пленок, уменьшение же его ниже 10 Торр приводит к росту размеров кристаллитов, что неблагоприятно сказывается на вращательном перемагничивании пленок. Для увеличения Нс может быть использован более глубокий вакуум. Скорость конденсации, которая в известной степени определяет микроструктуру пленок, измеряют непосредственно ионизационным манометром или косвенно по изменению оптической прозрачности контрольных пленок. Толщину пленок контролируют оптическим резистивным ( основан на измерении омического сопротивления пленок) и резонансным методами. Последний является наиболее точным ( 3 %), та1 как при этом используется свойство кристалла кварца изменять ч: готу колебаний при нанесении на его поверхность дополнительной массы материала. [47]