Микроструктура - пленка
Cтраница 2
 |
Конструкция машины для отлива полимерных пленок на поверхность металлического барабана.| Конструкция машины для отлива полимерных пленок на поверхность бесконечной ленты. [16] |
При вращении цилиндра происходит испарение растворителя из отлитого слоя и формирование микроструктуры пленки. Скорость вращения барабана устанавливается таким образом, чтобы за время одного оборота пленка приобрела достаточную механическую прочность для снятия ее с барабана и подачи в свободном состоянии в сушильный шкаф. Массивный цилиндр нагревается изнутри теплоносителем для компенсации потерь тепла при испарении растворителей из пленки. Строгий контроль теплового режима, расхода и состава сушильного агента обеспечивает высокое качество и эффективность капсулирования веществ в пленках по методу сухого формования эмульсий и суспензий. [17]
 |
Схематическое изображение микроструктуры слоев пленки. [18] |
Существуют технологические приемы, которые позволяют частично избежать нежелательных явлений, обусловливающих неоднородность микроструктуры пленок по слоям. [19]
 |
Зависимости оптических постоянных п и k при длине волны 0 59 мкм ( а и коэффициента заполнения q ( б пленок серебра от их толщины d. [20] |
Оптические постоянные и, следовательно, коэффициенты отражения R и пропускания Т зависят от микроструктуры пленок. На рис. 3.38 приведены спектральные зависимости R и Т пленок золота различной толщины, полученных при одной и той же температуре подложки, и пленок Аи одинаковой толщины, которые осаждались на подложки с различной температурой. При понижении температуры осаждения размер зерен уменьшается и возрастает концентрация дефектов. Дополнительный пик поглощения при длине волны 1 мкм связан с рассеянием света на границах мелких зерен. [21]
Результаты таких рентгеновских исследований демонстрируют достаточно большой разброс величин для различных образцов, что обусловлено трудностью точного воспроизведения микроструктуры пленок, получаемых напылением. Далее приводятся некоторые экспериментальные данные, иллюстрирующие порядок величин, полученных при исследовании тонких пленок. У никеля, осажденного при температуре порядка 250 С размер частиц равен 300 А и он при 300 С увеличивается до 1500 А. [22]
Пленки CdS, осаждаемые методом пульверизации с последующим пиролизом, имеют столбчатую структуру [24], однако она значительно отличается от микроструктуры пленок, получаемых вакуумным испарением. Полученные результаты свидетельствуют о том, что наличие столбчатой структуры зерен является важным условием для достижения высоких характеристик элементов, создаваемых с помощью испарения, тогда как влияние особенностей структуры зерен на характеристики элементов, изготовляемых методом пульверизации, оказывается менее существенным. Такие недостатки элементов, получаемых посредством пульверизации, как малый размер зерен и отсутствие столбчатой структуры, компенсируются положительным эффектом, обусловленным наличием электрического поля вблизи тыльной поверхности и тянущего поля в слое CdS, которые образуются при неоднородном легировании этого слоя. Следует подчеркнуть, что при равных значениях КПД элементы, создаваемые методами испарения и пульверизации, имеют неодинаковую микроструктуру и различные параметры конструкции. [23]
 |
Изображение емкостной связи между двумя половинкам тонкой пленки.| Уменьшение сопротивления тонкой пленки с увеличением частоты вследствие емкостной связи. [24] |
При измерении уменьшения сопротивления тонких пленок в случае токов высокой частоты следует вносить поправку на геометрический эффект, который ничего не меняет в микроструктуре пленки. Этот эффект, рассмотренный Хауви 66, 67 ], возникает вследствие емкостной связи между двумя половинами пленки. Несмотря на то, что емкость между соседними участками уменьшается по мере выпрямления пленки, она не доходит до нулевого значения и между двумя половинами пленки наблюдается определенная емкостная связь. [25]
Уменьшение удельной электрической прочности диэлектрических пленок также объясняется главным об-эазом неравномерностью их толщины и наличием боль-иого числа пор, воронок и других образований в микроструктуре пленок, ослабляющих электрическую проч-иость диэлектрических слоев. [26]
Следовательно, по данным измерений методом парамагнитного зонда окислительное и окислительно-деструктивное воздействие кислорода в процессе пленкообразования имеет решающее значение в изменении микроструктуры полимерных пленок МЭА и сравнительно мало сказывается на микроструктуре пленок МТПА и МПА. В пленках МЭА доля связей - О - О - составляет 0 44 против 0 15 для МПА. [27]
Для полвой проверки этой схемы представлялось весьма важным и интересным проверить весь цикл структурных превращений в пленках, постараться замкнуть этот цикл, взяв изотропную пленку, ориентировав ее растяжением и дав ей самопроизвольно вернуться в изотропное состояние, и тем самым доказать, с одной стороны, справедливость предложенных типовых схем микроструктуры пленок [1], а с другой стороны, установить степень устойчивости всех этих структур. [28]
Наиболее значительное влияние на характеристики тонкопленочных солнечных элементов оказывает микроструктура фотоактивного слоя кремния. Микроструктура пленок существенно зависит от условий осаждения, а также от качества и природы материала подложки. Наличие легирующей примеси ослабляет активность границ зерен и приводит к возрастанию напряжения холостого хода и коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики, а также к уменьшению последовательного сопротивления элементов. Следует отметить, что углубления поверхности пленок обычно соответствуют областям, содержащим болылеугловые границы зерен. [29]
При рассмотрении условий пленкообразования и свойств полимерных пленок необходимо различать два характера структур: микро -, или тонкую структуру материала, и макроструктуру. Под микроструктурой пленок понимается порядок расположения цепных молекул полимера и их форма в первичных надмолекулярных образованиях, а под макроструктурой - порядок расположения и характеристика первичных и более сложных, вторичных надмолекулярных образований в полимерах. [30]
Страницы: 1 2 3 4