Микроструктура - пленка
Cтраница 3
 |
Микроструктуры пленок, возникающие при их формовании из растворов полимеров. [31] |
Схема А ( рис. 99) соответствует предельному случаю дезориентации цепеобразных молекул и их звеньев. Она присуща микроструктуре пленок, полученных на поверхности ртути, которая благодаря своей подвижности не препятствует уменьшению объема образующейся пленки. Изотропные пленки обладают малой прочностью и малой усадкой. Они не показывают явления двулучепреломления. [32]
 |
Параметры дипольно-сегментального процесса сетчатых ПОЭ. [33] |
Вначале происходит резкое нарастание сопротивления пленок, а начиная с некоторых достаточно высоких значений Мп, величина р асимптотически, приближается к постоянным значениям. Объясняется это повышением плотности и изменением микроструктуры пленки, что влечет за собой уменьшение подвижности заряженных частиц и их числа. [34]
При изучении оптическими методами структуры пленок полипропилена, в которые вводили твердые вещества - частицы изотактического полистирола в аморфном ( стеклообразном) и кристаллическом состояниях, жидкие вещества - глицерин и галлий и пузырьки воздуха, оказалось, что все перечисленные вещества активно влияют на структурообра-зование в полипропилене при его кристаллизации. На рис. 13 ( см. вклейку) приведены фотографии микроструктуры пленок исходного полипропилена и образцов, содержащих фосфат свинца, капельки глицерина и пузырьки воздуха. Как видно из микрофотографий, частицы всех вводимых веществ располагаются в центрах сферолитов, размеры которых уменьшаются, а число - возрастает. [35]
И наконец, область IV соответствует толстым пленкам ( толщиной d l), для которых наиболее значительными составляющими удельного сопротивления являются РБ и рг. Любые изменения параметров этих пленок при вариациях толщины вызваны ее влиянием на микроструктуру пленок и вследствие этого связаны с условиями процесса осаждения. Температурный коэффициент удельного сопротивления пленок в областях III и IV всегда ниже, чем у массивных образцов, так как пленки имеют более высокое удельное сопротивление PF и лишь составляющая РБ зависит от температуры. Поскольку температурный коэффициент удельного сопротивления пленок подвержен влиянию коэффициента аь линейного теплового расширения подложки, его можно существенно изменять путем выбора подложки с определенным значением аь. [36]
Применение этих методов для формирования рисунка пока ограничено в связи с тем, что недостаточно исследованы влияние излучения на микроструктуру пленки и подложки и возможность возникновения дефектов, обусловленных напряжениями и ударными волнами. [37]
Чу и др. [93] сообщали, что при определенных условиях осаждения GaAs химическим методом из паровой фазы на вольфрамовые подложки, покрытые слоем графита, могут быть получены сплошные пленки толщиной менее 2 мкм. Параметры процесса осаждения, в частности температура подложки, состав и скорость потоков химически активных газов, а также концентрация хлористого водорода у поверхности подложки, оказывают существенное влияние на микроструктуру пленок. [38]
На оставшейся после определения толщины пленки части образца проводят микроструктурные исследования. Предварительно поверхность эпитаксиальной пленки обезжиривают спиртом. При различных увеличениях микроскопа сначала изучают особенности микроструктуры пленки, не прибегая к травлению. При этом возможно наблюдение террасообразной структуры, несовершенств, обусловленных включениями и нерегулярностью роста. Наиболее характерные детали поверхности рекомендуется сфотографировать. Затем поверхность пленки подвергают селективному травлению для выявления дефектов упаковки и дислокаций. [39]
На оставшейся после определения толщины пленки части образца проводят микроструктурные исследования. Предварительно поверхность эпитаксиальной пленки обезжиривают спиртом. При различных увеличениях микроскопа сначала изучают особенности микроструктуры пленки, не прибегая к травлению. При этом возможно наблюдение террасообразной структуры, несовершенств, обусловленных включениями и нерегулярностью роста. Наиболее характерные детали поверхности рекомендуется сфотографировать. Затем поверхность пленки подвергают селективному травлению для выявления дефектов упаковки и дислокаций. [40]
Величина Bq2 / d характеризует уменьшение работы выхода под влиянием сил изображения. Температурный коэффициент удельного сопротивления отрицателен, и его значение зависит от микроструктуры пленки. [41]
Рассмотрение свойств пленок, осаждаемых посредством пульверизации с последующим пиролизом, и их сравнение со свойствами пленок, выращиваемых другими методами, будут проведены в следующей главе. Пленки имеют шероховатую поверхность, причем форма и размеры неровностей определяются yqлoвиями распыления раствора и температурой подложки. В зависимости от подвижности частиц жидкости и химической активности компонентов осаждаемого вещества микроструктура пленок может изменяться от аморфной до микрополикристал-лической. [42]
 |
Схемы обычно применяемых пульверизаторов ( а, б, в и поперечное сечение пульверизатора, выпускаемого Spraying System Co., США ( г. [43] |
В том случае, когда распыленные капли однородны по размеру и обладают примерно одинаковым импульсом, при осаждении CdS образуются пленки с гладкой поверхностью и высокими оптическими характеристиками. При наличии электрического поля поток распыленного раствора становится более направленным; кроме того, полагают, что повышение под действием поля скорости капель и интенсивности процесса соединения частиц на поверхности подложки оказывает существенное влияние на характер микроструктуры пленок. [44]
При этих условиях пленки CdS кристаллизуются в структуре вюртцита и оказываются ориентированными таким образом, что плоскость ( 002) параллельна, а ось с перпендикулярна поверхности подложки. Как показано на рис. 4.2, пленки имеют столбчатую структуру, причем каждый столбик представляет собой отдельное зерно. Размер зерен в таких пленках, как правило, изменяется от 1 до 5 мкм, хотя сообщалось [130] о получении и более крупных зерен размером до 10 мкм. На кристаллическую структуру и микроструктуру пленок существенное влияние оказывает температура подложки в процессе осаждения. [45]
Страницы: 1 2 3 4