Бескорпусная микросхема

Cтраница 1

Бескорпусные микросхемы могут изготовляться на специализированных предприятиях или самим заводом-изготовителем больших гибридных интегральных микросхем на полупроводниковых подложках теми же методами и с той же топологией, что и кристаллы обычных корпусных полупроводниковых микросхем. Отли -, чие состоит в том, что после изготовления подложек, отбраковки негодных, скрайбирования и разделения на отдельные кристаллы годные из них приклеиваются на диэлектрическую подложку пленочной ИМС. Затем присоединяются внешние выводы бескорпусных микросхем к соответствующим контактным площадкам пленочной коммутационной платы. Резисторы выполняются в структурах пленочной части БГИС только в тех случаях, когда необходимо обеспечить высокую точность и малые температурные коэффициенты сопротивлений. Защита таких микросхем от воздействия агрессивных сред обеспечивается окисной пленкой, покрывающей поверхность полупроводниковой подложки, и защитным слоем, создаваемым для предохранения всей структуры БГИС. [1]

Конструкции корпусов микросхем. [2]

Бескорпусная микросхема представляет собой кристалл полупроводника, в объеме и на поверхности которого созданы ее элементы. Кристалл защищен пленкой лака или тонким слоем герметизирующего компаунда. [3]

Готовые бескорпусные микросхемы, кристаллы диодов и транзисторов монтируют на основании. [4]

Условное обозначение триггеров. [5]

Соединение бескорпусных микросхем с монтажными площадками осуществляется с помощью гибким ( проволочных) либо жестких ( балочных) выводов. [6]

БИС используют бескорпусные микросхемы и другие элементы и многослойную разведку с помощью пленочных проводников. [7]

Срок сохраняемости бескорпусных микросхем в составе гибридных схем, микросборках, блоках и аппаратуре при хранении в отапливаемом помещении или в хранилище с кондиционированием воздуха, а также в этом составе вмонтированных в защищенную аппаратуру или в комплекте ЗИП соответствует 6, 8 и 10 годам и конкретизируется в ТУ на определенные типы микросхем. [8]

Усилитель мощности ( 1 Вт.| Микросхема усилителя НЧ на полевых транзисторах К167УШ. [9]

Восемь модификаций бескорпусной микросхемы К129НТ1 представляют собой пары идентичных п-р - п транзисторов и используются в качестве активных элементов в широкополосных балансных - схемах, например в дифференциальных или операционных усилителях. По коэффициенту передачи тока транзисторы подразделяются на четыре группы ( 20 - 80, 40 - 160, 60 - 180 и более 80), а по разности прямых падений напряжения эмиттер - база на две группы. [10]

При использовании бескорпусных микросхем и микросборок часть соединений переносят на подложку, где они занимают в десятки раз меньший объем. [11]

Общий срок сохраняемости бескорпусных микросхем исчисляется с даты отгрузки, указанной в сопроводительной документации. [12]

Тара сопроводительная для бескорпусных микросхем. [13]

Общий срок сохраняемости бескорпусных микросхем исчисляется с даты отгрузки, указанной в сопроводительной документации. [14]

Герметизация корпуса с помощью гофрированной ленты. [15]

Страницы: 1 2 3 4