Бескорпусная микросхема

Cтраница 3

Бескорпусная микросхема операционного усилителя К740УД5 - 1. [31]

Эти микросхемы выпускаются специализированными предприятиями. Примером такой бескорпусной микросхемы может быть бескорпусный операционный усилитель К740УД5 - 1, ( рис. 1.15), аналог операционного усилителя К153УД2, выпускаемого в круглом ме-таллостеклянном корпусе и имеющего восемь выводов. [32]

Уплотнение рукоятки тумблера с помощью резинового колпачка.| Герметизация корпуса блока микроэлектронной аппаратуры. [33]

В микроэлектронной аппаратуре при использовании бескорпусных микросхем и микросборок с целью уменьшения габаритов делают общую герметизацию всего блока с помощью паяного соединения корпуса блока и крышки. На рис. 8 - 15 представлена схема конструкции такого уплотнения. Корпус и крышка выполнены из алюминиевого сплава. Поверхности, обращенные к герметизирующему шву, предварительно гальванически покрываются слоем олова. В паз укладывается резиновая прокладка, сверху которой помещается луженая мягкая стальная проволока диаметром около миллиметра. [34]

Для выполнения второй функции современных универсальных методов в микроэлектронике пока не существует. Хотя стоит отметить, что с применением монолитных бескорпусных микросхем и гибридной технологии величины паразитных элементов в цепях существенно уменьшились. ГГц и выше функции избирательности и согласования успешно выполняются сосредоточенными пленочными элементами или микрополосковыми линиями. [35]

Температурные режимы обжига паст. [36]

После спрессовывания всех слоев блок подвергается обжигу, при котором освобождающийся металл образует проводники. Контактные площадки для внешних выводов и для присоединения бескорпусных микросхем образуются в этом же технологическом цикле. [37]

Конструирование узлов ЦВ М на бескорпусных микросхемах. Элементами конструктивной иерархии в этом стучае будут являться: бескорпусная микросхема ( а также бескорпусный диод или транзистор) - основание - плата - блок - - машина. [38]

Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз в по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. [39]

Степень сложности БНК одного и того же уровня может быть различной и зависит от используемого элементного базиса. Наибольшую функциональную сложность будут иметь конструкции, построенные на бескорпусных микросхемах. [40]

Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла н механически с его поверхностью. Главным назначением вывода является обеспечение электрического контакта одной из цепей бескорпусной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. По выводам от бескорпусной микросхемы отводится значительная часть тепла. Жесткие выводы могут использоваться для механического крепления бескорпупюй микросхемы без ре приклеивания Гибкие выводы бескорпусной микросхемы для механического крепления не применяются. [41]

Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла и механически с его поверхностью. Главным назначением вывода является обеспечение электрического контакта одной из цепей бескорпусной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. По выводам от бескорпусной микросхемы отводится значительная часть тепла. Жесткие выводы могут использоваться для механического крепления бескорпусной микросхемы без ее приклеивания. Гибкие выводы бескорпусной микросхемы для механического крепления не применяются. [42]

При этом выбирают технологию, размеры подложек, схемы соединений. Чаще всего специализированные микросхемы выполняют по гибридной технологии с широким использованием бескорпусных микросхем, транзисторов, диодов, навесных конденсаторов. [43]

При замене линий задержки и фильтров, выполняемых на катушках индуктивности и конденсаторах или на массивных звуко-проводах, на пленочные микроузлы, построенные на использовании поверхностных акустических волн, происходит разгрузка намоточного, сборочного и механообрабатывающего участков. Печатные микроузлы со сложной электрической схемой принимают на себя основной массив элементной базы, включая бескорпусные микросхемы, поэтому в конструкции 1-го структурного уровня ( см. схему на с. [44]

Конструктивное исполнение пленочных микросхем позволяет осуществить мощные ( до 100 Вт) электрические схемы, работающие при больших значениях напряжения. Активные элементы пленочных микросхем выполняются в виде дискретных бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных микросхем. [45]

Страницы: 1 2 3 4