Бескорпусная микросхема
Cтраница 4
 |
Схема иерархических уровней и уровней межсоединений устройств микроэлектронной аппаратуры СВЧ. [46] |
Первым уровнем являются межсоединения в гибридных микросхемах СВЧ, в состав которых входят установленные на пассивную плату бескорпусные микросхемы, бескорпусные или заключенные в корпус навесные активные или пассивные электрорадиоэлементы. Вторым уровнем межсоединений является система проводников, соединяющих гибридные микросхемы, корпусированные полупроводниковые микросхемы и дискретные электрорадиоэлементы, устанавливаемые на печатной плате или на основании радиоэлектронного функционального узла ( микросборки), ячейки СВЧ. [47]
По технологическому признаку различают монолитные полупроводниковые и гибридные ( БИС. Для построения гибридных БИС применяют многослойную толсто - или тонкопленочную разводку Или их комбинацию в сочетании с бескорпусными микросхемами среднего уровня интеграции и пленочными пассивными элемента-зщ. [48]
Преодолеть эти трудности при изготовлении гибридно-пленочных ИМС высокой степени интеграции позволяет применение бескорпусных полупроводниковых микросхем. В этом случае структура пассивной части пленочной схемы может представлять собой многослойную коммутационную плату с контактными площадками для присоединения бескорпусных микросхем и внешних соединений. В таком варианте конструкции коммутационная плата сильно упрощается, так как большая часть соединений между элементами электрической схемы выполняется теперь на кристалле бескорпусной микросхемы. [49]
Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз в по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. [50]
Между тем, элементарные фрагменты электрической схемы ЭВМ можно оформить в виде бескорпусных полупроводниковых микросхем, а затем соединить их с помощью тонко - или толстопленочной коммутационной платы на диэлектрической подложке методами, описанными в § 2.2. При этом отпадает даже ограничение, касающееся построения электрической схемы БИС из однородных элементарных схем. Их подбор можно осуществить из числа разнообразных бескорпусных полупроводниковых микросхем, выбор которых достаточно широк. Недостающие бескорпусные микросхемы разрабатываются и изготавливаются заново. По этой причине, а также из-за того, что технологический процесс изготовления БГИС значительно проще, чем полупроводниковых БИС, этот метод наиболее подходит для построения неоднородных аналоговых устройств, например преобразователей аналог - код и код - аналог. Одновременно отметим, что достижимая степень интеграции для корпусных и бескорпусных БГИС - наивысшая из всех рассмотренных вариантов конструкций БИС. [51]
Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла н механически с его поверхностью. Главным назначением вывода является обеспечение электрического контакта одной из цепей бескорпусной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. По выводам от бескорпусной микросхемы отводится значительная часть тепла. Жесткие выводы могут использоваться для механического крепления бескорпупюй микросхемы без ре приклеивания Гибкие выводы бескорпусной микросхемы для механического крепления не применяются. [52]
Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - проводник, соединенный электрически с контактной площадкой кристалла и механически с его поверхностью. Главным назначением вывода является обеспечение электрического контакта одной из цепей бескорпусной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями. По выводам от бескорпусной микросхемы отводится значительная часть тепла. Жесткие выводы могут использоваться для механического крепления бескорпусной микросхемы без ее приклеивания. Гибкие выводы бескорпусной микросхемы для механического крепления не применяются. [53]
Бескорпусные микросхемы могут изготовляться на специализированных предприятиях или самим заводом-изготовителем больших гибридных интегральных микросхем на полупроводниковых подложках теми же методами и с той же топологией, что и кристаллы обычных корпусных полупроводниковых микросхем. Отли -, чие состоит в том, что после изготовления подложек, отбраковки негодных, скрайбирования и разделения на отдельные кристаллы годные из них приклеиваются на диэлектрическую подложку пленочной ИМС. Затем присоединяются внешние выводы бескорпусных микросхем к соответствующим контактным площадкам пленочной коммутационной платы. Резисторы выполняются в структурах пленочной части БГИС только в тех случаях, когда необходимо обеспечить высокую точность и малые температурные коэффициенты сопротивлений. Защита таких микросхем от воздействия агрессивных сред обеспечивается окисной пленкой, покрывающей поверхность полупроводниковой подложки, и защитным слоем, создаваемым для предохранения всей структуры БГИС. [54]
Бескорпусная интегральная микросхема - кристалл микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку. Этот термин в последнее время приобрел большое значение в связи с тем, что такие микросхемы широко применяются при создании микросборок и микроблоков. Если в обычной микросхеме корпус служит для защиты от внешних воздействий, то бескорпусная микросхема такой собственной защиты ( по крайней мере, от механических воздействий) не имеет. Для соединения с внешними электрическими цепями бескорпусная микросхема имеет собственные выводы, а ее полная защита обеспечивается корпусом устройства, в которое эта микросхема установлена. [55]
Страницы: 1 2 3 4