Cтраница 1
![]() |
Классификация полупроводниковых приборов. [1] |
Полупроводниковые микросхемы - микроэлектронные изделия, выполняющие определенную функцию преобразования и обработки сигнала, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. [2]
![]() |
Устройство полупроводниковых микросхем резистора ( а, конденсатора ( б, транзистора ( в. [3] |
Полупроводниковые микросхемы помещают в металлические корпуса или заливают пластмассой, например эпоксидной смолой, с соответствующими проволочными или ленточными выводами. Корпуса значительно увеличивают габаритные размеры микросхем. Применение полупроводниковых микросхем в цифровых и релейных схемах приводит к уменьшению их габаритов, массы и цены. Полупроводниковые микросхемы аналогового типа, например усилители, менее распространены из-за трудностей выдержать допуски на параметры всех элементов. [4]
Полупроводниковые микросхемы в настоящее время являются одним из наиболее перспективных направлений микроэлектроники, они позволяют создавать надежные и достаточно сложные в функциональном отношении схемы малых размеров. Основным преимуществом этого направления является возможность изготовления высококачественных активных элементов и относительно простое осуществление их защиты. Поскольку полупроводниковые микросхемы обычно изготавливают на кремнии планарно-эпитаксиальным методом, то защита поверхности может осуществляться просто окислением кремния. [5]
Полупроводниковые микросхемы могут рассеивать мощность 50 - 100 мВт, работать на частотах до 20 - 100 МГц, обеспечивать время задержки до 5 не. [6]
Полупроводниковые микросхемы в круглых корпусах из-за очень малых расстояний между выводами могут соединяться друг с другом только с помощью многослойных печатных плат. [7]
Полупроводниковые микросхемы нуждаются в температурной компенсации, для чего используют отрицательную обратную связь. [8]
Полупроводниковая микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. [9]
Полупроводниковые микросхемы в большинстве случаев являются изделиями широкого применения: одни и те же микросхемы используются в микроэлектронной аппаратуре различного назначения. Они выпускаются большими партиями; только при этом условии окупаются высокие затраты на разработку новых типов микросхем. [10]
Функциональные полупроводниковые микросхемы характерны тем, что в них невозможно выделить отдельные структурные области, эквивалентные отдельным элементам. Такие схемы оцениваются в целом по выполняемой ими функции. Функциональные полупроводниковые микросхемы получают созданием локальных неоднород-ностей внутри кристалла, что дает возможность управлять потоком объемных зарядов с помощью электрических и магнитных полей. [11]
![]() |
Кристалл полупроводниковой микросхемы. [12] |
Рассмотренная полупроводниковая микросхема имеет пять элементов: два транзистора и три резистора. [13]
Совмещенные полупроводниковые микросхемы ( или просто совмещенные микросхемы) - микросхемы, в которых большая часть входящих в схему элементов выполнена методами полупроводниковой технологии в объеме полупроводниковой пластины, а часть элементов ( обычно резисторы, конденсаторы и соединительные проводники) выполнена на поверхности полупроводника методами пленочной технологии. [14]
![]() |
Металлокерамический плоский корпус. 19 5 макс 4 в.| Пластмассовый прямоугольный корпус. [15] |