Полупроводниковая микросхема

Cтраница 2

Германиевые полупроводниковые микросхемы с непосредственными связями типа Р12 - 2 являются универсальными логическими переключающими элементами НЕ - ИЛИ на два входа и предназначены для построения логических и арифметических узлов ЦВМ со средним быстродействием. [16]

Стабилизатор напряжения КР142ЕН1, КРН2ЕН2. [17]

Полупроводниковые микросхемы типов КР142ЕН1 и КР142ЕН2 ( рис. 5.169) представляют собой стабилизаторы компенсационного типа, имеющие схему защиты при коротком замыкании нагрузки. Для регулировки выходного напряжения в стабилизаторах применяется внешней делитель. Такое построение схемы позволяет расширить диапазон выходных регулируемых напряжений. Делитель с большим коэффициентом деления ухудшает значения коэффициентов стабилизации, однако в полупроводниковой схеме можно реализовать запас коэффициентов усиления и при большом диапазоне регулировки. [18]

Полупроводниковые микросхемы памяти применяются в ЗУ и предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. [19]

Микросхема серии К118.| Принципиальная схема.| Микросхема серии К224. [20]

Логические полупроводниковые микросхемы серий KI04, К106, КПЗ, KI14, К133, К147, К172 выпускают для электронно-вычислительных машин и устройств автоматики. Каждая серия содержит 10 - 20 логических элементов типов И, ИЛИ, НЕ или их сочетаний. [21]

Цифровые полупроводниковые микросхемы памяти предназначены для применения в оперативных ( ОЗУ) и постоянных ( ПЗУ) запоминающих устройствах. [22]

Полупроводниковые микросхемы повышенной степени интеграции изготавливают главным образом на основе МДП-транзисторов. Это объясняется их преимуществами перед микросхемами на биполярных транзисторах: втрое меньшим числом технологических операций и на порядок большей плотностью размещения элементов на подложке. [23]

Монтаж кристалла на основании корпуса. а металлического. б пластмассового. [24]

Проектироврние полупроводниковых микросхем включает целый комплекс сложных и громоздких по вычислению задач, решение которых требует применения машинных методов. [25]

Полупроводниковой микросхемой является ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Иногда полупроводниковую схему называют монолитной ИМС. [26]

Если полупроводниковые микросхемы используются в качестве навесных в гибридных микросхемах, применяют бескорпусную защиту. [27]

Диодные схемы включения транзисторов. [28]

Диоды полупроводниковых микросхем характеризуются совокупностью статических и импульсных параметров. Напряжение UnpoG одинаково для трех схем включения: первой, третьей и четвертой ( рис. 3.14) и для структур планарно-эпитаксиального типа современных микросхем составляет 5 - 7 В. Обратный ток / Обр диода обусловлен генерацией носителей заряда в обедненном слое / 7-п-переходов и зависит от напряжения, приложенного в обратном направлении. Наименьшее значение / Обр имеют диоды, включенные то схемам / и 4 ( рис. 3.14), так сак в них используется только эмиттерный переход, площадь и ширина которого наименьшие. [29]

Сборку полупроводниковых микросхем производят после групповой обработки пластин, в результате которой тем или иным технологическим процессом создаются структуры микросхем с металлизацией. Перед сборкой контролируют функционирование микросхем - проверяют работоспособность по тестовым программам и выявляют негодные участки пластин. [30]

Страницы: 1 2 3 4