Полупроводниковая микросхема

Cтраница 3

Элементы полупроводниковой микросхемы соединяются в единую функциональную схему при помощи металлизированных проводников, которые соответствуют линиям связи в электрической принципиальной схеме. Допускается отклонение изображения металлизированного проводника на топологии по сравнению с эскизом задания. Линии перехода между проводником и контактной площадкой выполняют согласно рис. 25.15. Металлизированные проводники должны иметь минимальное количество изломов. [31]

Транзисторы полупроводниковых микросхем могут иметь несколько отдельных эмиттеров при одной базе и одном коллекторе. Такие транзисторы называются многоэмиттерньши. Их устройство показано на рис. 1.5, а способы использования рассмотрены в гл. [32]

Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [33]

Резисторы полупроводниковых микросхем могут быть получены несколькими способами. [34]

Конденсаторы полупроводниковых микросхем. [35]

Конденсаторы полупроводниковых микросхем имеют следующие разновидности ( рис. 22.2): диффузионные, металл - окисел - полупроводниковые ( МОП-конденсаторы) и тонкопленочные. [36]

Элементы полупроводниковых микросхем. [37]

Конденсаторы полупроводниковых микросхем изготовляют либо на смещенном в обратном направлении р - / г-переходе, либо на основе структуры металл - окисел - полупроводник. В последнем случае обкладками являются металлическая пленка алюминия и полупроводник, а изолятором - окисел. [38]

Уступая полупроводниковым микросхемам в надежности, пленочные микросхемы позволяют получить плотность упаковки в узлах и блоках, близкую к плотности упаковки, получаемой в настоящее время при использовании полупроводниковых микросхем. [39]

В полупроводниковой микросхеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. [40]

В обычной полупроводниковой микросхеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности из-за тепловых перегрузок. В совмещенной микросхеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [41]

В полупроводниковых микросхемах самыми распространенными являются конденсаторы на основе / 7-я-переходов. Их создание не требует дополнительных технологических операций, поскольку используются те же переходы, что и в транзисторной структуре. При этом используется барьерная ( зарядная) емкость р-п-пере-хода при обратном смещении. Удельная барьерная емкость Суд зависит от распределения примесей в прилегающих к переходу областях и от прилсженного напряжения. [42]

Интегральный конденсатор.| Диффузионный резистор. [43]

В полупроводниковых микросхемах обычно применяют диффу. [44]

Окисная изоляция компонентов.| Изоляция компонентов типа изопланар. [45]

Страницы: 1 2 3 4