Полупроводниковая микросхема

Cтраница 4

В полупроводниковых микросхемах наиболее широко применяют диффузионные и эпитаксиально-диффузионные планарные транзисторы. [46]

В полупроводниковых микросхемах широко применяются пленки поликристаллического кремния, легированные донорами или акцепторами, нанесенные на поверхность кремниевой пластины, покрытой диоксидом кремния. Такие пленки формируются обычно химическим осаждением из газовой фазы. [47]

В полупроводниковых микросхемах широко применяются диоды со структурой металл-полупроводник, при создании которых ставится обратная задача: получить выпрямляющий ( но не инжектирующий) контакт. Он может быть образован только к слаболегированным областям при концентрациях примесей не более 101в см-3. Практически все применяемые металлы ( в том числе и алюминий) образуют контакты с лучшими выпрямляющими свойствами ( большей высотой потенциального барьера срМ11) к областям / г-типа, чем к областям р-типа. Для стабилизации и улучшения свойств контакта после нанесения пленки проводят термообработку. При использовании алюминия температура должна быть невысокой ( менее 300 С), в противном случае образуется р - п переход при контакте с / г-слоем или омический контакт при контакте с / j - слоем. Таким образом, создать одновременно омические и выпрямляющие контакты на одном кристалле, используя один и тот же металл ( А1), затруднительно. На практике применяют разные металлы. Например, хорошие выпрямляющие контакты с кремнием л-типа образуют силициды тугоплавких металлов ( Pt), получаемые нанесением металла с последующей термообработкой. [48]

В полупроводниковых микросхемах наиболее распространенными пассивными элементами являются резисторы. Вследствие низкого удельного сопротивления полупроводниковых слоев они занимают большую площадь на кристалле. Аналоговые микросхемы содержат, как правило, больше резисторов, чем цифровые. Во многих цифровых микросхемах ( например, на полевых транзисторах) резисторов нет - вместо них используют транзисторы. Полупроводниковые резисторы имеют сильную температурную зависимость и большой технологический разброс сопротивления. Иногда вместо полупроводниковых применяют тонкопленочные резисторы с лучшими параметрами, но тогда технологический процесс усложняется. [49]

В полупроводниковых микросхемах пассивные пленки выполняют разнообразные и сложные функции. [50]

В арсенид-галлиевых полупроводниковых микросхемах активными элементами служат полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник ( МЕП-транзисторы), кроме того, используют диоды Шотки и полупроводниковые резисторы. [51]

В пленочных и полупроводниковых микросхемах широко используются различные металлы и сплавы, у которых стабильность электрических характеристик сочетается со стойкостью их к химической и электрохимической коррозии. Для проводников и контактов используются металлы с высокой электрической проводимостью: золото, серебро, медь и алюминий, причем последний чаще всего для внутрисхемных соединений. [52]

При создании полупроводниковых микросхем параметры всех диффузионных слоев оптимизируются для получения наилучших характеристик транзистора. Поэтому при расчете диффузионных резисторов по ф-ле (3.17) возникает задача определения конфигурации ( длины и ширины) резистивного слоя по его известным характеристикам: поверхностной концентрации и распределении примесей, глубине залегания перехода и др. На практике № диф обусловлено также требованиями к параметрам транзистора и для каждого конкретного слоя, который можно использовать в качестве резистивного, Wm - const. Поэтому расчет и конструктирование диффузионных резисторов облегчается введением понятия о сопротивлении на квадрат - удельного поверхностного сопротивления слоя. [53]

Планерной технологии полупроводниковых микросхем, в произ-ве тонкоплеиочных гибридных схем, изделий пьезотехники, акустоэлектроники и др. ( нанесение проводящих, диэлектрических, защитных слоев, масок и др.), в оптике ( нанесение просветляющих, отражающих и др. покрытий), ограниченно-при металлизации пов-сти пластмассовых и стеклянных изделий, тонировании стекол автомобилей. [54]

Коллекторные островки, электрически изолированные друг от друга pn - переходами, включенными в запорном иалравлснии. [55]

Технология изготовления полупроводниковой микросхемы отличается от рассмотренной тем, что на одной и той же кремниевой пластине одновременно изготовляют большое количество ( 100 - 1000 шт. Последнее вынуждает предусмотреть меры по электрической изоляции этих транзисторов друг от друга. [56]

При создании полупроводниковых микросхем необходима изоляция радиоэлементов друг от друга для исключения нежелательных связей между ними. Обычно для каждого компонента или группы компонентов изготовляют отдельный карман электрически изолированный от других участков и от подложки. Разработано несколько способов изоляции. Области, ограниченные этим переходом, являются чаще всего коллекторами транзисторов, в связи с чем этот метод получил название метода коллекторной или тройной диффузии. [57]

Полупроводниковая пластина с сформированными рабочими элементами до нанесения соединительных проводников и контактных площадок ( сильно увеличено. [58]

Для герметизации полупроводниковых микросхем используются металлические, керамические или пластмассовые корпуса различной формы. [59]

Для изготовления полупроводниковых микросхем требуется дорогостоящее специализированное технологическое оборудование, поэтому при конструировании РЭА, как правило, используют микросхемы общего назначения, выпускаемые электронной промышленностью. [60]

Страницы: 1 2 3 4