Тонкопленочная микросхема

Cтраница 1

Тонкопленочные микросхемы обладают повышенной надежностью по сравнению с аппаратурой на дискретных элементах, так как сокращается число соединений в схеме и уменьшаются механические напряжения от ударов, ускорений и вибраций вследствие значительного уменьшения массы элементов. [1]

Собранный модуль ( а и его цоколевка ( б. [2]

Тонкопленочная микросхема состоит из изоляционной подложки, на которую нанесены тонкопленочные резисторы, конденсаторы, металлические токоведущие перемычки, индуктивности и контактные площадки. [3]

Тонкопленочные микросхемы серии 308 и наборы резисторов типа НР1 - 16 предназначены для работы в устройствах электронно-измерительной и вычислительной техники в качестве делителей постоянного и переменного напряжения. Конструктивно оформлены в пластмассовых корпусах, для печатного монтажа. [4]

Тонкопленочные микросхемы серии 311 предназначены для согласования уровня сигналов по напряжению в измерительных устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре в качестве делителей напряжения постоянного и переменного тока. [5]

Тонкопленочные микросхемы серии 313 предназначены для работы в устройствах измерительной в вычислительной техники в качестве - прецизионных делителей напряжения. [6]

Элементы тонкопленочных микросхем должны обладать определенной конфигурацией для выполнения конкретных функций. [7]

Для тонкопленочных микросхем важны гладкая поверхность ( такая же, как у полупроводниковых микросхем) и отсутствие газовыделения в вакууме. Необходимо, чтобы диэлектрические потери в подложках высокочастотных и СВЧ-микросхем были малы, а диэлектрическая проницаемость слабо зависела от температуры. Перед нанесением тонких пленок поверхность подложек должна быть тщательно очищена. [8]

Для тонкопленочных микросхем применяют базовые пластины из ситалла или стекла размером 60 х 48 х 0 5 мм, для микрополосковых схем - из поликора размером 30 х 24 X 0 5 мм. У полупроводниковых интегральных схем базовые пластины имеют форму круга с диаметром 30 - 40 мм. После изготовления элементов базовую пластину разламывают ( скрайбируют) на отдельные подложки индивидуальных микросхем. Длина и ширина подложки у индивидуальной тонкопленочной и микрополосковои схем определяются кратным делением размеров базовой пластины, а у полупроводниковых микросхем они примерно равны 1 5 X 1 5 мм. [9]

Достоинствами тонкопленочных микросхем являются возможность получения резисторов и конденсаторов с широкими диапазонами номиналов и точными параметрами, высокая температурная стабильность их и возможность автоматизации процесса напыления. [10]

Чертеж интегральной тонкопленочной микросхемы содержит следующее: топологию с условной маркировкой контактных площадок ( проводников) и с указанием размеров, а также ГОСТов на исходный материал; последовательность нанесения тонкопленочных слоев; параметры пленок, контролируемых в процессе напыления; значения электрических параметров, контролируемых после напыления; технические требования к качеству подложки, к точности совмещения тонкопленочных слоев и контролю элементов. На элемент каждого слоя наносится штриховка, поясняемая на поле чертежа пленочной схемы. [11]

Наиболее широко распространенными тонкопленочными микросхемами являются гибридные микросхемы. [12]

Диэлектрические слои тонкопленочных микросхем получают осаждением моноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов А12О3, Та2О5, Nb2Oft, TiO2, нитрида кремния Si3N4) сернистой сурьмы SbS3, полимерных пленок. [13]

Основными достоинствами тонкопленочных микросхем являются возможность получения резисторов и конденсаторов с широкими диапазонами номиналов и точными параметрами, высокая температурная стабильность и возможности автоматизации процесса напыления. [14]

Термокомпресснонная сварка оплавленным шариком. [15]

Страницы: 1 2 3 4