Тонкопленочная микросхема

Cтраница 4

На рис. 3 - 98 показана конвейерная линия, предназначенная для производства многослойных тонкопленочных микросхем. Она состоит из восьми горизонтально расположенных цилиндрических камер, смонтированных на едином фундаменте. Камеры при помощи боковых патрубков вакуумноплотно соединены друг с другом и связаны одним общим цепным конвейером, проходящим в вакуумном объеме через все камеры напылительной линии. [46]

Одним из основных достоинств катодного распыления, давших ему широкое применение при изготовлении тонкопленочных микросхем, является возможность получения пленок тугоплавких веществ и их соединений, которые практически почти невозможно получить путем термического испарения в вакууме. [47]

Стекла применяют для изготовления стеклянных конденсаторов, небольших проходных изоляторов, диэлектрических подложек для тонкопленочных микросхем и других радиодеталей. [48]

В данной главе рассматривается взаимосвязь между этими факторами и значение каждого из них в создании тонкопленочных микросхем высокого качества. [49]

Стекло имеет очень гладкую поверхность и обладает хорошей адгезией со всеми материалами, применяемыми для изготовления тонкопленочных микросхем. К недостаткам подложек из стекла относятся: плохая теплопроводность, малая прочность и трудности, связанные с механической обработкой. [50]

Несмотря на вышеуказанные ограничения метод последовательной электронолитографии перспективен в связи с возможностью применения машинного проектирования и автоматизированного производства тонкопленочных микросхем при сравнительно простом оборудовании. [51]

За короткое время развития микроэлектроники были разработаны различные направления микроминиатюризации: уплотненный монтаж, сварные модули, микромодули, тонкопленочные микросхемы, полупроводниковые интегральные схемы различных типов. Все эти направления быстро развивались, заимствуя одно у другого лучшие технологические решения тех или иных проблем. [52]

Являясь высоковакуумной, одно-операционной установкой, она позволяет за вакуумный цикл наносить через маску методом термического испарения один слой тонкопленочной микросхемы одновременно на семь подложек. В последнее время установку в основном применяют для осаждения нескольких сплошных слоев для микросхем, рисунок которых получается методом фотолитографии. [53]

Фотошаблоны должны иметь строго рассчитанный геометрический рисунок с допусками на размер элементов в пределах 1 - 5 мкм для тонкопленочных микросхем и долей микрометра для полупроводниковых интегральных схем. [54]

Типы внешних выводов, присоединяемых. [55]

Обычно ограничиваются соединениями на основе одного металла, например контактами алюминий - алюминий для транзисторов или золото - золото в тонкопленочных микросхемах. Эти металлы имеют высокую адгезию и находят широкое применение в интегральных схемах. [56]

Методы химических реакций в газовой фазе применяются при изготовлении металлических, резистивных и диэлектрических пленок, используемых в качестве пассивных элементов тонкопленочных микросхем. При этом в результате разложения сложного химического соединения или химической реакции двух или более веществ продукт реакции осаждается в виде пленки на подложку. [57]

Страницы: 1 2 3 4