Тонкопленочная микросхема
Cтраница 2
Для монтажа тонкопленочных микросхем применяют установку термокомпрессиониой сварки типа ЭМ-421А с совместным нагревом столика и инструмента. В установке ЭМ-439А присоединение проволочного вывода к пленке или внешнему выводу ИС осуществляется оплавленным шариком. [16]
В конструкции тонкопленочной микросхемы часто возникает необходимость пересечения одного проводника другим. В местах пересечения проводники необходимо изолировать друг от друга тонкой пленкой диэлектрика. Пересечение можно рассматривать как маленький конденсатор, ибо проводники имеют конечное сопротивление и между ними существует конечная емкость. Для межслойной изоляции применяются в большинстве случаев моноокись кремния и халькогенидное стекло. [17]
В технологии тонкопленочных микросхем используется дорогостоящее вакуумное оборудование. Сам технологический процесс более трудоемкий. Однако высокая чистота процесса нанесения пленок в вакууме и возможность контроля всех критических параметров процесса определяют перспективность тонкопленочной технологии для большинства прецизионных схем приборостроительной промышленности. [18]
Основными элементами тонкопленочных микросхем являются подложка и система пассивных элементов, включающая резисторы, конденсаторы, индуктивности, проводники и контактные площадки. [19]
Принцип создания тонкопленочной микросхемы, содержащей резисторы, проводники и контактные площадки, с использованием метода прямой фотолитографии представлен на рис. 2.2, а - г. После нанесения в вакууме сплошной пленки резистивного материала проводится фотолитография. Экспонированный фоторезист удаляется ( растворяется), после чего пленка резистивного материала стравливается с участков, не защищенных фоторезистом. Далее на подложки в вакууме наносится сплошная пленка алюминия. [20]
При изготовлении тонкопленочных микросхем изоляционным слоем могут служить органические полимерные пленки. [22]
Конструктивной основой тонкопленочных микросхем является изоляционная подложка. Она оказывает существенное влияние на параметры тонких пленок и надежность всей схемы. Общие требования, предъявляемые к подложке, независимо от конструкции и назначения микросхем, следующие: гладкая поверхность, высокая плоскостность, беспористость, механическая прочность, близость коэффициентов термического расширения подложки и пленки, хорошая теплопроводность, стойкость к термоударам, химическая стойкость, большое электросопротивление, низкая стоимость. [23]
 |
Тонко пленочные резисторы. [24] |
Основными элементами тонкопленочной микросхемы являются резисторы, конденсаторы и соединительные проводники. [25]
Необходимыми элементами любой тонкопленочной микросхемы являются пленочные проводящие слои и контактные площадки, основное назначение которых объединить пленочные и навесные компоненты в законченную схему, выполняющую определенную электрическую функцию. [26]
Подложка в тонкопленочных микросхемах является фактически частью корпуса прибора и в то же время неотъемлемой частью каждого тонкопленочного элемента. [27]
Таким способом изготовлены тонкопленочные микросхемы, содержащие 80 резисторов шириной 100 мкм. Следует отметить, что способ с двукратным применением фотолитографии создает наилучшие условия для получения резисторов с малыми отклонениями от номиналов, высоким выходом годных микросхем и большой производительностью. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов элементов микросхем, что создает наиболее благоприятные условия для равномерного формирования пленок. Во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применить набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. В-третьих, исключение операций изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление микросхем. [28]
Указанным способом изготавливаются тонкопленочные микросхемы. Тонкие пленки очень чупствительны к изменениям таких параметров процесса осаждения, как температура источника, скорость осаждения, остаточная атмосфера, температура подложки и состояние ее поверхности, состав напыляемого материала. Все это делает осаждение тонких пленок одним из наиболзе сложных промышленных технологических процессов. Однако в тс нкопленочных микросхемах обеспечиваются более узкие допуски на номиналы резисторов, конденсаторов и индуктивностей и большая стабильность свойств элементов. Плотность межсоединений и элементов ( за исключением резисторов) здесь может быть значительно выше. [29]
Создание требуемого рисунка тонкопленочной микросхемы осуществляется осаждением через маску. Основными этапами получения маски являются изготовление оригиналов и фотошаблонов. [30]
Страницы: 1 2 3 4