Тонкопленочная микросхема

Cтраница 3

Тонкопленочная схема и набор масок. [31]

На рис. 12.19 показана тонкопленочная микросхема и маски для нанесения проводников, изоляторов и резисторов. Маскирование осуществляют, помещая маски между - испарителем и подложкой. [32]

Однако при рассмотрении элементов тонкопленочных микросхем следует учесть, что их изготовление в едином технологическом цикле по интегральной технологии приводит к появлению новых, присущих лишь интегральным схемам зависимостей. В частности, свойства каждого из тонкопленочных элементов и всей схемы в целом зависят от методов и технологии формирования слоев и рисунков элементов. [33]

При таком методе изготовления тонкопленочных микросхем удается получить сравнительно высокую плотность монтажа при минимальном весе и размерах и сократить общее число соединений, использующих пайку и сварку, так как они применяются только для подсоединения активных микроэлементов ( диодов и транзисторов), в то время как пассивные элементы прочно и надежно соединяются между собой непосредственно в процессе их изготовления. Регулируя процесс осаждения пассивных элементов, добиваются их оптимальных параметров и высокой точности номиналов. [34]

Наконец, для формирования рисунка тонкопленочных микросхем перспективными представляются методы непосредственного воздействия на тонкопленочную структуру электронными, лазерными и ионными пучками, позволяющие вообще отказаться от маскирования с помощью шаблонов и резисторов. [35]

Наибольшее распространение в микроэлектронной технике получили тонкопленочные микросхемы, на базе которых создают большие гибридные интегральные схемы. Объясняется это тем, что тонкопленочная технология позволяет расширить пределы номинальных значений элементов и получить для них более высокую точность, стабильность и надежность. [36]

В СВЧ-ИМС, как и в более низкочастотных тонкопленочных микросхемах, металлизация обычно создается напылением в вакууме или распылением. Метод распыления обусловливает механическую связь между проводником и подложкой; для этого требуется грубообработанная поверхность подложки, что приводит к росту потерь, значительных уже на частотах более 5 ГГц. При напылении в вакууме возникает химическая связь, а неровности подложки не должны превышать 0 15 мкм. В этом случае наилучшие результаты получаются, если ряд проводящих слоев наносят в одной камере в течение одного процесса. [37]

Установка УВН-62П-1 предназначена для промышленного изготовления элементов тонкопленочных микросхем на основе пленок тантала. Установка разработана на основе базовой модели УВН-2М. Внутрикамерное устройство ( рис. 44) имеет тран-спортно-бункерный конвейер, позволяющий одновременно загружать до 200 ситалловых или полупроводниковых подложек. Механизмы перемещения 6 и подъема подложек 5 заземлены и являются анодом. На базовой плите установлены два вентиля-натекателя с электромагнитным управлением, с помощью которых в рабочую камеру впускают газ ( обычно аргон) и поддерживают определенное давление. [38]

В книге представлен анализ технологического процесса изготовления тонкопленочных микросхем с точки зрения обеспечения воспроизводимости результатов и оптимизации процента выхода годных. На основании уточненного расчета номиналов и допусков элементов схем с учетом технологии их получения даны правила разработки топологии микросхем. [39]

В настоящее время самым распространенным материалом для тонкопленочных микросхем, получаемых с помощью катодных и ионно-плазменных методов распыления, является тантал, который может выступать в роли проводников и обкладок конденсатора микросхемы. [40]

Профили осаждаемого металла в зависимости от клина проявления фоторезиста. / - пленка фоторезиста. 2 - формируемый элемент. [41]

Имеются и другие области применения электрохимии при создании тонкопленочных микросхем. [42]

Учитывая сравнительно невысокие требования к точности геометрических размеров рисунков тонкопленочных микросхем ( по сравнению с полупроводниковыми структурами), имеется возможность автоматизированного перемещения столика с подложкой при неподвижном электронном луче. [43]

Оригинал интегральной микросхемы представляет собой чертеж конфигурации технологического слоя тонкопленочной микросхемы, предназначенный для получения фотошаблона. При увеличении 30х оригинал будет иметь размеры 1 5X1 5 м, которые являются максимально допустимыми при фотокопировании. [44]

Дальнейшая разработка и применение методов фотолитографии позволяют получать по комбинированной технологии многослойные тонкопленочные микросхемы, содержащие проводники, резисторы, конденсаторы, индуктивности и тонкопленочные активные элементы. [45]

Страницы: 1 2 3 4