Емкость - переход
Cтраница 1
Емкость перехода остается неизменной при температуре окружающей среды от 213 до 343 К. [1]
Емкость перехода измеряется методом емкостно-оми-ческого делителя. [2]
 |
Изоляция локальным окислением - изопланар 1. 1 - п - скрытый слой. 2 - n - эпитаксиальный слой.| Изоляция локальным окислением. [3] |
Емкости переходов и паразитные емкости в этом случае довольно значительны; поэтому при повышении плотности интеграции элементов, быстродействия схемы и уменьшении потребления энергии возникают ограничения. Для преодоления этих ограничений разработана технология, использующая диэлектрическую изоляцию. Примером реализации этой технологии является метод локального окисления, показанный на рис. 5.5 и 5.6 ( см. разд. В этом методе используется тот факт, что S13N4 почти не окисляется. Как видно из рис. 5.6, на участке формирования разделительной области вскрывается слой Si3iN4, далее проводится окисление и на указанном участке наращивается толстый окисный слой. [4]
Емкость перехода коллектор - подложка обычно не используется, а является паразитным параметром, который стремятся свести к минимуму. Обычно с этой целью минимизируют площадь изолирующего перехода и подают на него максимальное обратное смещение. [5]
 |
Зависимость величины добротности варикапа от частоты. [6] |
Емкость перехода практически не зависит от частоты в диапазоне частот от нескольких килогерц до тысяч мегагерц. Однако изменение элементов эквивалентной схемы в диапазоне частот может привести к изменению эквивалентной емкости варикапа. [7]
Емкость перехода остается неизменной при температуре окружающей среды от 213 до 343 К. [8]
Емкость перехода заряжается через сопротивление канала. [9]
Емкость перехода и ток смещения - наибольшие при изменении анодного напряжения от нулевого значения. Поэтому для повышения допустимых значений du / dt полезно иметь на тиристоре положительное или отрицательное начальное смещение. [10]
Емкость перехода остается неизменной при температуре окружающей среды от 213 до 343 К. [11]
Емкости переходов влияют на частотные и импульсные характеристики полупроводниковых приборов. [12]
Емкость перехода представляет собой величину, которую довольно трудно определить. Наиболее удобный пучь состоит в вычислении комплексной проводимости перехода на переменном токе G - - iS тогда величина ( S / t) n - o будет определять шунтирующую емкость перехода па низкой частоте. Член S состоит из двух частей: части, определяемой диффузией избыточных или недостающих электронно-дырочных пар на расстоянии порядка длины диффузии, и части, определяемой созданием пространственного заряда в ие-посредственой близости от перехода. Первый член, рассмотренный Шокли [8], экспоненциально падает с обратным смещением, в то время как второй уменьшается только как [ / - V. В соответствии с этим для переходов с обратным смещением принципиальный интерес представляет лить емкость пространственного заряда. [13]
 |
Процесс заряда 2. [14] |
Емкости переходов заряжаются через сопротивление канала. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5