Емкость - переход
Cтраница 3
 |
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [31] |
Емкость Перехода импульсных диодов должна быть как можно меньше; обычно она равна десятым долям или единицам пико-фарад. [32]
Эти емкости переходов подобны межэлектродным емкостям вакуумной лампы, определяющим частотные свойства последней. Однако в транзисторах роль емкостей переходов не всегда является определяющей. [33]
Кроме емкости переходов, эмиттер и коллектор имеют диффузионные составляющие емкости. Диффузионная емкость прямо пропорциональна величине тока эмиттера и имеет для массовых сплавных транзисторов в обычном режиме питания величину порядка Сэ 2000 - 20000 пф. Поэтому емкость эмиттерной цепи Сэ и определяется этой составляющей. Диффузионная емкость коллекторного перехода в сплавных транзисторах составляет единицы пикофарад, а емкость коллекторного перехода - десятки пикофарад, следовательно, емкость коллекторной цепи, в основном, определяется емкостью коллекторного перехода. [34]
Величина емкости перехода С0 прямо пропорциональна площа-ди перехода. [35]
Отличие емкости перехода от емкости конденсатора заключается в том, что величина ха в первом случае зависит от приложенного внешнего напряжения, а во втором не зависит. Кроме того, ширина перехода зависит и от удельного сопротивления р полупроводника каждой из областей. [36]
 |
Интегральный диод. [37] |
Величина емкости перехода коллектор-подложка для маломощных структур имеет величину от 2 до 5 пФ и существенно сказывается на быстродействии транзистора. [38]
Свойство емкости р-п перехода изменять свою величину при изменении внешнего напряжения связано с наличием объемного заряда в области потенциального барьера р-п перехода. [39]
Для определения емкостей переходов также необходимо знать детальное распределение поля в области перехода. [40]
 |
Определение параметров импульсного режима транзисторов с помощью выходных характеристик. [41] |
Вследствие влияния емкостей переходов и времени пробега носителей через базу, а также процессов накопления и рассасывания заряда в базе собственные параметры транзистора на высоких частотах изменяются и уже не являются чисто активными сопротивлениями. Изменяются также и все другие параметры. [42]
Сильная зависимость емкости переходов от напряжения приводит к нежелательным отклонениям частоты при изменении режима генератора в процессе амплитудной модуляции. Получение же частотно-модулированных колебаний за счет изменения емкости переходов триода приводит к нежелательной амплитудной модуляции. По этой причине применение частотной и амплитудной модуляции непосредственно в генераторах с самовозбуждением ограничивается передатчиками малой мощности. [43]
Для измерения емкостей переходов в настоящее время используются три метода: замещения, мостовой и реостат-но-емкостного делителя. К измерительному прибору при этом предъявляются три основных требования: возможность подачи на испытуемый переход постоянного напряжения, малая амплитуда переменного напряжения на переходе по сравнению с постоянным смещением ( или диффузионным потенциалом при измерении в нулевой точке), обеспечение измерения емкости при наличии параллельного сопротивления потерь. [44]
 |
Емкости транзистора и паразитные емкости монтажа в схеме с общей. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5