Емкость - переход
Cтраница 2
Емкость перехода, не имеющая особо важного значения на низких частотах, на сверхвысоких частотах приобретает очень существенное значение, так как ее действием, шунтирующим переход, уже нельзя пренебрегать. [16]
 |
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику диода Д7Б. [17] |
Емкость перехода, включенного в непроводящем направлении, также связана с образованием зарядов в области уо-и-перехода; ее называют барьерной. [18]
Емкость р-п перехода в зависимости от смещения, приложенного к нему, для диодов с резким и плавным переходами описывается выражениями (2.7) и (2.8), соответственно. Вольтфарадная характеристика диода является криволинейной, поэтому степень точности измерения емкости определяется точностью задания рабочей точки, в которой измеряется емкость, и точностью измерения переменного напряжения, при помощи которого осуществляется это измерение. [19]
Емкость эмпт-терного перехода С3 измеряется аналогичным способом. При выполнении указанного условия на малых сигналах чувствительность вольтметра должна быть очень высокой. Поэтому часто в качестве измерителя параметров используют высокоизбирательный вольтметр. [20]
Емкость перехода ТД также зависит от температуры, поскольку при возрастании температуры контактная разность потенциалов уменьшается. [21]
 |
Эквивалентная схема туннельного диода. [22] |
Емкость перехода Сд также представляет собой дифференциальное значение емкости, связанной только с р-п переходом, при заданном постоянном смещении. [23]
Емкость р-п перехода существует при прямом и при обратном включении диода. [24]
Емкость р-п перехода определяется изменением заряда, накопленного в р-п переходе при изменении приложенного к переходу внешнего напряжения. [25]
Емкость р-п перехода определяет работу приборов с р-п переходами на высокой частоте, где сказывается ее шунтирующее действие. Действительно, поскольку емкостное обратное сопротивление Re 1 / ( оС, с ростом частоты коэффициент выпрямления р-п перехода начинает уменьшаться. [26]
Емкость р-п перехода фотодиода, шунтирующая его выходное сопротивление ( рис. 19), состоит из зарядной и диффузионной составляющей. [27]
 |
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [28] |
Емкость Перехода импульсных диодов должна быть как можно меньше; обычно она равна десятым долям или единицам пико-фарад. [29]
Емкость эмшптерного перехода Сэ - измеряется между выводами эмиттера и базы на заданной частоте при отключенном коллекторе ч обратном смещении на эмиттере. При повышении напряжения величина Сэ также уменьшается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5