Емкость - переход
Cтраница 4
Такое увеличение емкости перехода коллектор-база называется эффектом Миллера. Он связан с тем, что напряжение на конденсаторе С3 в ( 1 А) раз превышает входное. [46]
Как видим, емкость перехода представляется несколько необычной, потому что ее величина зависит от приложенного напряжения. [47]
Сб ( или емкость перехода) диода относительно велика; у плоскостных диодов Д813 емкость достигает 500 пф. При увеличении обратного смещения электронны в области перехода все дальше отходят от дырок, ширина перехода возрастает, расстояние между пластинами эквивалентного конденсатора увеличивается и емкость перехода диода уменьшается. [48]
 |
Зависимость емкости ступенчатого ( а и плавного ( б переходов от обратного напряжения. [49] |
Как видим, емкость перехода представляется несколько необычной, потому что ее величина зависит от приложенного напряжения. Оценим величину барьерной емкости для германиевого диода, полагая / 0 0 6 мк; Дф0 0 35 в S 0 01 смг и I U 1 в; тогда Сп 150 пф. [50]
Здесь СТ - емкость перехода транзистора, СД - емкость перехода диода, предполагается, что численные значения параметров вводятся в ЦВМ в виде отдельного числового массива. [51]
Таким образом, усредненная емкость перехода определяется его дифференциальной емкостью при одном из граничных значений напряжения, пределами изменения этого напряжения и коэффициентом Пс-Методы измерения дифференциальной емкости перехода хорошо известны из литературы. Величина показателя пс зависит от технологии изготовления р-п перехода. [52]
 |
Зависимость барьерной емкости от приложенного напряжения. [53] |
Следует отметить, что емкость перехода определяется тем же выражением, что и удельная емкость плоского конденсатора. [54]
 |
К расчету параметров варактора. [55] |
Основные параметры диода: емкость перехода и сопротивление потерь в зависимости от приложенного напряжения, а также емкость патрона и индуктивность вводов должны быть известны перед началом проектирования. Иногда в паспортных данных диода приводится его критическая частота. [56]
 |
GO. Частотная модуляция с помощью варикапов. [57] |
В то же время емкость перехода почти не зависит от частоты и мало зависит от температуры. [58]
 |
Конфигурация точеч. [59] |
У точечных диодов мала емкость перехода, поэтому их предпочтительнее использовать для работы в области высоких частот, в том числе в СВЧ диапазоне. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5