Cтраница 1
Емкость транзистора С12 превышает емкость лампы в сотни раз, а крутизна транзистора S0 превышает крутизну 5 лампы в 10 - 20 раз. Поэтому при прочих равных условиях устойчивое усиление транзисторного каскада примерно в 5 - 6 раз меньше устойчивого усиления лампового каскада. [1]
Измерение емкости транзисторов и ИМ по сравнению с диодами представляет более сложную задачу, так как в самом приборе за счет возникновения паразитных емкостей образуются связи, описываемые более сложной эквивалентной электрической схемой. Влияние этих паразитных емкостей на результаты измерений зависит от схемы их подключения к измерительной системе. При измерении емкости р-п перехода, например коллекторного, резонансным или мостовым методом выводы базы и корпуса заземляются - а коллекторный вывод подклю - ается к измерительной установке. [2]
![]() |
Эквивалентные схемы источников шума, возникающего в транзисторах. [3] |
Внутренние сопротивления и емкость транзисторов или время переноса ограничивают рабочую частоту. [4]
![]() |
Структурная схема цифрового стробоскопического осциллографа в режиме измерения динамических параметров транзисторов.| Изображения входного ( канал 1 и выходного ( канал 2 импульсов. [5] |
Выпускаются специальные измерители емкостей транзисторов. [6]
Свых - выходные активная проводимость и емкость транзистора данного каскада, СВХ2 - входная емкость транзистора следующего каскзда. [7]
Для уменьшения влияния входной и выходной емкостей транзистора на частоту генератора необходимо выбирать транзисторы малыми входными емкостями по отношению к емкостям связи. Транзисторы должны быть достаточно высокочастотными, при этом фазовый угол крутизны ф8 будет меньше, и меньше будет сказываться изменение ps на величине фазового угла генератора рэ и на эквивалентном приведенном реактивном сопротивлении генератора хг, а следовательно, и частоте генератора. [8]
![]() |
Мостовой преобразователь при обычном ШИМ-управлении. [9] |
Допуская, что временные интервалы перезаряда емкостей транзисторов малы, индуктивностью Ls можно пренебречь, а элементы схемы идеальные, получим регулировочную характеристику схемы рис. 14.20, а, при фазовом управлении. [10]
![]() |
Преобразователь с активным клампом и емкостным фильтром. [11] |
Для анализа процессов переключения необходимо рассмотреть перезаряд емкостей транзисторов под действием тока, проходящего в индуктивности Ls, как это было выполнено для преобразователей с / С-фильтром. [12]
Непостоянство величин входной Сцс и выходной С22 емкостей транзисторов, приводящее к изменениям полной емкости контура и основных качественных показателей УПЧ. [13]
Свх и Свых - входная и выходная емкости транзистора мик росхемы. [14]
Такая схема позволяет получить менее чувствительную к разбросам емкостей транзисторов частотную характеристику усиления но сравнению с обычной схемой параллельной коррекции. [15]