Емкость - транзистор
Cтраница 3
Момент включения коллекторной цепи ключа несколько запаздывает по отношению к моменту появления входного сигнала, что объясняется процессами заряда емкостей транзистора. Момент отключения также запаздывает, что объясняется процессом рассасывания заряда в базе насыщенного транзистора. [31]
Таким образом, для получения хорошего усиления необходимо иметь большую крутизну S и высокое сопротивление нагрузки, однако величина последнего ограничивается шунтирующим действием емкостей транзистора. [32]
Быстродействие схемы характеризуется величиной задержки распространения сигнала / Зд - Из результатов, полученных в § 3.1, следует, что величина задержки распространения сигнала в основном определяется временами заряда и разряда емкостей транзистора и схемы и ее можно выразить как сумму времен фронта и спада выходного - импульса логической схемы. [33]
То же замечание можно сделать относительно каскада на составном транзисторе по схеме Дарлингтона ( рис. 2.33 а, б - упрощенная и полная схемы), усиление которого на высоких частотах определяется емкостью Скв левого транзистора, а на низких частотах существенно возрастает за счет возрастания р и входного сопротивления. [34]
В этой схеме: п wK / w5 - коэффициент трансформации; L - индуктивность намагничивания, равная индуктивности базовой обмотки; н ЭКв - эквивалентное сопротивление нагрузки, учитывающее все активные сопротивления нагрузки, подключаемые к любой из обмоток трансформатора, а также потери в трансформаторе; СЭКв - эквивалентная паразитная емкость, учитывающая распределенные паразитные емкости обмоток трансформатора, емкости транзистора и емкость нагрузки. [35]
Хотя емкости транзисторов изменяются с изменением температуры в большей степени, они могут быть малыми по величине. [36]
Основное влияние на эту величину оказывает процесс выключения схемы, при котором заряжаются выходная емкость схемы и емкость нагрузки. Поэтому задержка определяется значениями емкостей транзисторов, паразитных емкостей транзисторов и резисторов, емкости нагрузки, граничной частоты транзисторов, потребляемой мощности и логического перепада. [37]
Транзисторный трансформаторный усилитель, в отличие от лампового усилителя, не может давать резонансный подъем усиления на верхних звуковых частотах, так как вторичная обмотка трансформатора нагружена на сравнительно небольшое активное входное сопротивление следующей ступени. Это сопротивление настолько сильно шунтирует емкости транзистора и трансформатора, что резонанс не наблюдается. На верхних частотах в транзисторном усилителе происходит уменьшение усиления из-за потери напряжения на индуктивности рассеяния трансформатора. На нижних частотах усиление также снижается вследствие уменьшения индуктивного сопротивления первичной обмотки. [38]
В большинстве случаев используются резонансные трансформаторы, настроенные на одну или две частоты. Очень часто для ограничения влияния емкости транзистора и облегчения возможности согласования сопротивлений используется секционирование выводов с первичных и со вторичных обмоток трансформаторов. [39]
Входная, проходная емкости полевого транзистора с управляющим переходом меняются при изменении электрического режима подобно тому, как меняется емкость обратно смещенного р - - перехода. На рис. 18 приведены зависимости емкостей сдвоенного транзистора типа КПСЮ4 от напряжения на затворе. При этом входная емкость обычно меняется в больших пределах. [40]
Полученные характеристики могут быть использованы для описания статических параметров транзисторов. В динамическом режиме необходимо учитывать также емкости транзистора. На рис. 3.7 показано сечение МДП-транзистора в плоскости ху и обозначены емкости: Сип, Ссп, Скп - исток - подложка, сток - подложка, канал - подложка; Сзи, Сзс - затвор - исток, затвор - сток; С0 - подзатворная. [41]
Наша задача заключается в определении необходимой длины /, расстояния / точки подключения приемного фидера от короткозамкнутого конца линии, при котором выполняется условие согласования сопротивлений W и Явх, а также эквивалентного затухания входной цепи с учетом реакции антенной цепи. СЕХ - входные активное сопротивление и емкость транзистора. Длина / отрезка линии должна быть такой, чтобы входная цепь с учетом Свх оказалась настроенной в резонанс на частоту сигнала со. Это будет в том случае, когда полная реактивная проводимость между точками ab равна нулю. Приемный фидер не влияет на резонансную частоту входной цепи, так как в нашем случае он согласован с транзистором. [42]
Такое сочетание свойств схем каскадов ОЭ и ОБ позволяет использовать преимущества каскада ОБ ( слабую внутреннюю обратную связь и малое влияние параметров транзистора на контур), сохранив в то же время преимущество каскада ОЭ в усилении. Кроме того, в каскодном усилителе емкость Ск транзистора VT2 не связана непосредственно с входом схемы, что также обеспечивает хорошую развязку входа и выхода схемы на высокой частоте. [43]
 |
Схема резонансного наследного.| Каскодный усилитель, выполненный на интегральной микросхеме К241УС2. [44] |
Такое сочетание свойств схем каскадов ОЭ и ОБ позволяет использовать преимущества каскада ОБ ( слабую внутреннюю обратную связь и малое влияние параметров транзистора на контур) сохранив в то же время преимущество каскада ОЭ в усилении. Кроме того, в каскод-ном усилителе емкость Ск транзистора Т2 не связана непосредстенно с входом схемы, что также обеспечивает хорошую развязку входа и выхода схемы на высокой частоте. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5