Емкость - транзистор
Cтраница 2
 |
Состояние схемы при выключении транзистора Г4, перезаряд емкостей Сгз и СГ4.| Состояние схемы при выключении транзистора П, перезаряд емкостей СТ1 и СГ2. [16] |
По достижении момента времени tK заканчивается интервал перезаряда емкостей транзисторов, и ток iLS начинает проходить через внутренний диод транзистора ТЗ ( DT3) - Таким образом, включение транзистора ТЗ происходит с ПНН и теперь в целях снижения потерь можно включать ТЗ сигналом управления. После окончания времени tn сигналом управления выключается транзистор Л, и короткое время оба транзистора левой стойки ( плеча) моста оказываются запертыми. Начинается перезаряд выходных емкостей СГ1 и СТ2 транзисторов, диод D2 открывается, а поскольку диод D1 продолжает проводить ток, обмотки W2l и W22 оказываются закороченными; на всех обмотках, в том числе и на обмотке Wv напряжение равно нулю. Схема замещения для интервала переключения транзисторов Т и Т2 ( выключается Т) показана на рис. 14.24. Токи в индуктивности Ls и в индуктивности L к началу рассматриваемого интервала несколько снизились по сравнению со значениями ILSU и / 0 из-за прохождения тока в интервале / п через ключи Т и ТЗ с конечными ( не бесконечно малыми) сопротивлениями. [17]
Короткие интервалы времени, в которых происходит перезаряд емкостей транзисторов, не показаны. [19]
В ней опущены не представляющие интереса в данном случае емкости транзистора. [20]
 |
Зависимость выхода годных струк. [21] |
Однако из-за емкостей соединений: и паразитных ем костей корпуса микросхемы снижение емкости транзистора менее 0 1 пФ весьма затруднительно. [22]
 |
Схема измерения Грвых И.| Схема измерения ГрБХ И Срвх. [23] |
В этой схеме сигнал частотой 1 Мгц проходит через делитель, образованный емкостью транзистора СВЫх. Измерительный прибор ЛВ ( электронный вольтметр) показывает величину переменного тока, текущего через сопротивление 100 ом. Измерительная установка должна быть смонтирована с минимальными паразитными емкостями. Измерительное гнездо желательно изготовить из фторопласта. [24]
В противном случае запаса энергии в индуктивности Ls будет недостаточно для полного перезаряда емкостей транзисторов и после угла ca0t я / 2 напряжение на емкости СТ1, не достигнув нуля, начнет снова возрастать. [25]
В транзисторных генераторах с самовозбуждением частотная модуляция п простейших случаях осуществляется за счет изменения емкостей транзистора при изменении напряжений на его электродах. [26]
Таким образом, процесс переключения на втором этапе является резонансным и связан с перезарядом емкостей транзисторов под действием тока, проходящего через индуктивность рассеяния трансформатора. [27]
Наконец, для исследований в лабораторных условиях может быть использован наиболее трудоемкий мостовой метод измерения емкостей транзистора. Два таких моста выпускаются промышленностью. Мост с индуктивно связанными плечами типа Л2 - 7 позволяет измерять полные значения входных и выходных проводимостей транзисторов в плавно перекрываемом диапазоне частот 0 4 - 10 Мгц, а двойной Т - образный мост типа Л2 - 8 - на фиксированных частотах 15, 20, 30, 45 и 60 Мгц. [28]
Длительность фронта и спада импульсов зависит от постоянной времени транзистора та с учетом влияния коллекторной и эмиттерной емкостей транзистора, от полосы пропускания линии задержки и от коэффициента усиления усилителя, величиной которого определяются уровни ограничения сверху и снизу. [29]
Главный недостаток МДП ЗУ заключается в том, что под влиянием процессов, связанных с зарядом и разрядом емкостей МДП транзисторов с каналами р-типа, полный цикл считывания - записи составляет обычно не менее 500 не. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5