Емкость - транзистор
Cтраница 4
 |
Схема резонансного каскодного усилителя.| Каскодный усилитель, выполненный на интегральной микросхеме К241УС2. [46] |
Такое сочетание свойств схем каскадов 03 и ОБ позволяет использовать преимущества каскада ОБ ( слабую внутреннюю обратную связь и малое влияние параметров транзистора на контур), сохранив в то же время преимущество каскада ОЭ в усилении. Кроме того, в каскод-ном усилителе емкость Ск транзистора TI не связана непосредстенно с входом схемы, что также обеспечивает хорошую развязку входа и выхода схемы на высокой частоте. [47]
Широкополосные трансформаторные схемы усилителей отличает простота настройки, технологичность изготовления и высокая надежность в работе. Однако из-за влияния внутренних индуктивностей и емкостей транзисторов, элементов конструкции и соединений максимальная рабочая частота обычно не превышает 30 - 60 МГц при мощ-носга 100 - - 200 Вт н 80 - 100 МГц при меньшей мощности. [48]
Нагрузкой УВЧ, включенной в коллекторной цепи транзистора Т ], является одиночный контур, состоящий в диапазонах ДВ и СВ из элементов L2, С2 диапазонных планок П1, П2 и конденсатора СЗ блока КПЕ, а в диапазонах KB - L2, С4, С5 диапазонных планок ПЗ-П8 и конденсатора СЗ блока КПЕ. Для устранения самовозбуждения УВЧ из-за наличия нежелательных емкостей транзистора и монтажа в коллекторную цепь включен резистор R8 с небольшим сопротивлением. Катушки связи УВЧ с кольцевым смесителем ( L3, L4 - на планках П ], П2 и L3 - на планках ПЗ-П8) выполнены с заземленной средней точкой для подачи на смеситель симметричных напряжений сигналов, так как смеситель выполнен по симметричной схеме. [49]
В дальнейшем процесс повторяется с частотой, зависящей от напряжения источника, материала и способа сборки сердечника, индуктивности коллекторной обмотки и выходного напряжения преобразователя. Крутизна фронтов напряжения зависит от собственной емкости обмоток трансформатора и от емкостей транзисторов. С делителя Rl, R2 снимается отрицательное напряжение, необходимое для первоначального отпирания транзисторов при включении преобразователя. [50]
Автором успешно используется теория матриц для описания свойств транзисторов, работающих в линейном режиме, и синтеза активных фильтров с транзисторами. При этом учитывается зависимость элементов пассивной цепи от входной и выходной проводимости и емкости транзистора. [51]
Для получения наибольшего усиления при наименьшем количестве транзисторов было решено применять транзисторы с трансформаторной связью. В первом каскаде использован контур LC, где L C совместно с входной и выходной емкостями транзисторов Тх и Т2 при разомкнутой обратной связи настраиваются на нужную частоту. С 2 и входная емкость транзистора Т2 выбраны так, чтобы входное сопротивление транзистора Т2 играло роль высокого сопротивления, включенного параллельно коллекторной нагрузке транзистора Tj. Это обеспечивает хорошее согласование транзисторов. Если это необходимо для улучшения частотной характеристики, величину L9j можно регулировать. [52]
 |
Переходная характеристика транзисторного УПТ. [53] |
На рис. 20 показана форма экспериментально снятой переходной характеристики усилителя. Сначала сброс следует за сигналом, а затем транзистор TI запирается, так как в цепи эмиттера имеется паразитная емкость ( емкость транзисторов и емкость монтажа), заряд которой стекает довольно медленно, в результате чего потенциал базы оказывается ниже потенциала эмиттера. Разряд паразитной емкости Сп определяется в основном током / к что является дополнительным условием для выбора величины этого тока. При выборе интервала между двумя последовательными включениями входного сигнала Г2 важно, чтобы время задержки Т1 было меньше этого интервала. [54]
Штриховкой показано, что транзистор Т 2 еще находится в открытом состоянии. Диод D 2 зачернен, что указывает на его проводящее состояние. Емкость Ст транзистора Т 2 разряжена до нуля, а емкость транзистора Т заряжена до напряжения Um Uc. Положительные напряжения на емкостях транзисторов и конденсаторе С показаны стрелками на схеме. В момент времени ноль, когда произошло выключение Т 2, начинается первый этап процесса переключения. [55]
Предварительный подбор катушки индуктивности колебательного контура производят на куметре следующим образом. По принципиальной схеме каскада, в котором будет работать данная катушка индуктивности, определяют емкость контура. Однако емкости транзисторов могут входить в общую емкость контура не полностью, например, когда используют неполное включение контура в выходную и входную цепи транзисторов. Это делают для того, чтобы избежать значительного шунтирования контура и уменьшения его добротности проводимостями цепей. [56]
 |
Схема формирования МДП-транзистора по ССТО-техноло-гии. [57] |
После выращивания толстого окисла ( до 1 5 мкм) вытравливается окно ( рис. 1.9, а) для покрытия тонким окислом ( рис. 1.9 6) толщиной 0 2 мкм. С помощью фотолитографии оставляют слой металла или поликристаллического кремния только над той областью, где будет затвор. Использование затвора в качестве маски приводит к значительному уменьшению емкостей транзистора и повышает его быстродействие. [58]
Штриховкой показано, что транзистор Т 2 еще находится в открытом состоянии. Диод D 2 зачернен, что указывает на его проводящее состояние. Емкость Ст транзистора Т 2 разряжена до нуля, а емкость транзистора Т заряжена до напряжения Um Uc. Положительные напряжения на емкостях транзисторов и конденсаторе С показаны стрелками на схеме. В момент времени ноль, когда произошло выключение Т 2, начинается первый этап процесса переключения. [59]
Штриховкой показано, что транзистор Т 2 еще находится в открытом состоянии. Диод D 2 зачернен, что указывает на его проводящее состояние. Емкость Ст транзистора Т 2 разряжена до нуля, а емкость транзистора Т заряжена до напряжения Um Uc. Положительные напряжения на емкостях транзисторов и конденсаторе С показаны стрелками на схеме. В момент времени ноль, когда произошло выключение Т 2, начинается первый этап процесса переключения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5