Модель - транзистор
Cтраница 1
Модель транзистора принципиально можно выбрать из уже разработанных моделей дискретных транзисторов и затем модифицировать ее с учетом особенностей интегральной планарной структуры. В эквивалентной схеме эти добавления влекут за собой в основном увеличение последовательного сопротивления коллектора, что связано с наличием контакта для области коллектора на поверхности структуры и с появлением емкости перехода коллектор-подложка, что вызвано наличием обратно смещенного / 7-п-перехода, изолирующего транзистор от других элементов схемы. [1]
 |
Модель биполярного транзистора для области от-сечки.| Модель биполярного транзистора для области насыщения. [2] |
Модель транзистора в области отсечки представляется схемой замещения на рис. 6.13. Если сопротивления внешних цепей много меньше сопротивлений утечки гэут и гКут, то транзистор в схеме замещается разрывом в цепи. [3]
 |
Зарядоуправляемая модель транзистора для области насыщения. [4] |
Математически зарядоуправляемая модель транзистора представляет собой систему дифференциальных уравнений второго порядка и в ряде режимов эксплуатации транзисторов может быть упрощена. [5]
В модели транзистора ( рис. 2.36) элементы HCN и SN отражают нормальный режим его работы и связаны с инжекцией носителей из эмиттера, а элементы На и S / - инверсный режим и связаны с инжекцией носителей из коллектора. [6]
В модели транзистора, рассмотренной выше, перенос носителей через базовую область осуществляется посредством диффузии. При этом быстродействие прибора определяется временем пролета дырок через базовую область, которое зависит от ширины базовой области и коэффициента диффузии. [7]
 |
Эквивалентная схема для кусочно-линейной аппроксимации. [8] |
Такая модель транзистора ограничена, так как она не предостерегает о возможности таких важных явлений, как насыщение и отсечка, которые наступают внезапно. На рис. 5.13 показана эквивалентная схема, которая дает ату дополнительную информацию. [9]
 |
Семисекционная эквивалентная схема. [10] |
Эта модель транзистора впервые была применена в программе ПАЭС, поэтому будем называть ее моделью ПАЭС. В ней сохранены преимущества предшествующих моделей, но устранены их недостатки. [11]
Основными недостатками моделей транзистора, полученных путем модификации модели Эберса - Молл а, являются отсутствие непосредственной физической интерпретации таких параметров, как / э 0, / к-0, faN, faH, и синтез конфигурации эквивалентной схемы на основе эмпирического подхода. Следствием этих недостатков являются трудности определения формул связи ряда электрических и структурных параметров модели и невозможность построения более точных многосекционных моделей путем развития двухсекционной модели Эберса - Молла. [12]
В этих условиях модель транзистора, используемая в программе ПАЭС, распространяется на интегральную транзисторную структуру. [13]
Второй метод описания модели транзистора - с помощью матрицы параметров - носит форм алиЗ Ованный характер, он совершенно не затрагивает физические процессы, протекающие в - полупроводниковом приборе. В этом случае транзистор рассматривается как активный четырехполюсник. [14]
V Ряд сопротивлений, входящих в модели транзисторов, а именно Run и RKK, входят в состав Rcr и являются сязями графа. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5