Модель - транзистор
Cтраница 3
Учитывая вышеизложенное, основное внимание далее будет уделено моделям транзисторов, диодов или р - - переходов, входящих в состав ИС. Поскольку подавляющее большинство современных ИС построено на биполярных транзисторах, данная глава посвящена моделированию этих интегральных схем. [31]
Тем не менее к 1955 г. работа над моделью транзистора для массового сбыта практически завершилась. Столь быстрый прогресс был достигнут прежде всего благодаря самоотверженности группы конструкторов. [32]
Ключевым моментом при расчете транзисторных усилителей мощности является выбор модели транзистора. Последняя может быть представлена эквивалентной электрической цепью или некоторой матрицей параметров. [33]
 |
Дне возможные структуры транзистор.. с зоной собственной проводимости между базой и коллектором. [34] |
В заключение мне хотелось бы рассказать тебе еще об одной модели транзистора для высоких частот, в производстве которого используется метод двойной диффузии. [35]
Кроме приведенных, в расчетах схем находит применение еще одна низкочастотная модель транзистора ( рис. 4 - 8), основанная на соотношениях, отражающих физические процессы в нем. [36]
 |
Упрощенная эквивалентная схема двухэмиттерного тран-ьистора. [37] |
Поэтому формулы связи электрических и структурных параметров в двух вариантах модели много-эмиттерного транзистора неодинаковы. [38]
Итак, дифференциальное уравнение ( 4) при т const соответствует модели транзистора с кусочно-параболической статической характеристикой и критической частотой по крутизне fs, не зависящей от режима. Такая модель хорошо отражает свойства транзистора. Однако поскольку модель учитывает параболичность характеристики, она оказывается более совершенной, чем модель, принятая в статье [1], где статическая характеристика считалась кусочно-линейной, a fs, как и в настоящей работе, не зависящей от режима. [39]
 |
Пример для сравнения методов анализа чувствитель. [40] |
На рис. 25 приведена схема инвертора, ММС которой получена с использованием модели транзистора ПАЭС, а к управляемым параметрам отнесены сопротивления RI RI гб, R2, Rsr K, RI, где г к и гб-сопротивления тел коллектора и базы транзистора соответственно. [41]
Прежде чем перейти к преобразованиям уравнений, рассмотрим способ уточнения вычисления токов в моделях транзисторов и диодов. [42]
В этом разделе будут рассмотрены некоторые реальные физические структуры транзисторов с целью выяснения необходимости модификации той модели транзистора, которая была только что рассчитана. В частности, будет показано, что в рассмотренной модели должны быть отражены некоторые двух - или трехмерные эффекты. [43]
Таким образом, если заданы напряжения Уэ и VK, то уравнения (2.113) - (2.117) позволяют вычислить токи во всех цепях модели транзистора. [44]
После того, как убедились в правильности программы, производится машинный анализ с выводом результатов по расчету токов и напряжений всех элементов на печать, в том числе и элементов, входящих в модели транзисторов. Полученные данные позволяют определить баланс токов во всех узловых точках и баланс напряжений во всех контурах схемы. По погрешностям, получаемым при этом, можно судить о точности решения - системы уравнений цепей схемы и тем самым о точности производимого анализа. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5