Модель - транзистор
Cтраница 4
 |
Модель составного транзистора в ключевом режиме. [46] |
Причина столь печального вывода кроется в следующем. Вернемся к модели транзистора, состоящей из двух диодов, как показано на рис. 4.9. Транзистор VT1 мы легко можем перевести в состояние насыщения, задав потенциал его базы, как полагается, выше потенциала коллектора. В то же время потенциал базы VT2 не может стать выше потенциала коллектора. Открываясь, транзистор VT1 только подтягивает базу VT2 к коллектору. Следовательно, коллекторный переход не открывается, и транзистору VT2 невозможно перейти в состояние насыщения. Поэтому нужно очень аккуратно относиться к разработке управляющих цепей силовых биполярных транзисторов. [47]
Наличие электрического поля в базе планарного транзистора приводит к тому, что крутизна вольт-амперной характеристики 1К ( УЭ) уменьшается по мере возрастания тока коллектора при работе в режимах высоких уровней инжекции. Следовательно, - в модели транзистора должно быть отражено и это явление. [48]
Модель биполярного транзистора, не содержащая нелинейных управляемых источников. В представленной на рис. 1.2 модели транзистора присутствуют нелинейные управляемые источники тока iyi 0, 1 э и cty2:: Hii к - Нелинейность этих источников связана с тем, что коэф - ff - фициенты CIN и cti не являются постоянными величинами. Они связаны с PN и PI нелинейными выражениями (1.10); в свою очередь, pN и pi представляются нелинейными функциями вида (1.11) от соответствующих токов. [49]
Построение многосекционных моделей на основе модели ПАЭС и модели Линвилла осуществляется аналогично. В качестве примера на рис. 6 представлена семисекционная модель транзистора. Диоды ДЭ1 и ДЭ2 отображают эмиттерный переход, Дк1 и Дк2 - коллекторный переход в пределах активной, а Дкз - пассивной областей базы. [50]
Зачастую коэффициент В оказывается достаточно малым и, как следствие этого, неучет источника / г. п не приводит к существенным погрешностям. Поэтому при анализе интегральных схем иногда используют модель двухпереходного транзистора, отображая изолирующий переход только его барьерной емкостью. [51]
Кроме статических эквивалентных схем, получаемых при применении формальных приемов линеаризации в.а.х. транзистора, часто, особенно при анализе работы транзистора в активном режиме, используют физические эквивалентные схемы транзисторов - Т - и П - образные. Указанные эквивалентные схемы по сути дела являются моделями транзистора, отражающими физические, связанные с принципом его работы, параметры и явления: сопротивления базы, открытого эмиттерного и закрытого коллекторного переходов, явление диффузии и дрейфа носителей. [52]
Источники тока моделей и токи через большие сопротивления определяют исходя из начальных значений напряжений на р - n - переходах, затем, используя закон токов Кирхгофа для каждого транзистора, вычисляют токи в малых сопротивлениях модели. Такой способ предварительного определения токов в малых и больших сопротивлениях моделей транзисторов и диодов в целом уточняет решение системы уравнений итерационными методами и позволяет учесть разреженность топологических матриц. Это в сочетании с более совершенной модификацией метода Ньютона - Рафсона для решения уравнений позволяет сократить необходимый объем оперативной памяти, уменьшить требуемое машинное время и производить анализ схем, начиная с нулевых значений аргументов. [53]
Сложность самой интегральной схемы, наличие дополнительных паразитных компонентов уже не позволяет достаточно точно определить параметры модели транзистора по нескольким измерениям на выходе схемы. [54]
 |
Конденсатор Сн служит для нейтрализации действия внутренней емкости коллектор - база. [55] |
В некоторой мере ты прав: так устроены транзисторы p - n - i - p, о которых ми уже говорили. Слой беспримесного полупроводника ( I) в определенном смысле играет роль экрана, снижающего емкость база - коллектор. В дрейфовых моделях транзисторов также имеется зона, удаляющая коллектор от базы. А при работе с обычными транзисторами для предотвращения самовозбуждения используют метод, предложенный для высокочастотных схем на лампах еще до изобретения тетродов. Этот метод заключается в нейтрализации паразитной емкости путем приложения на управляющий электрод напряжений такой же амплитуды, но в противофазе. [56]
Как видно из принятой модели, представленной на рис. 2.11 и 2.12, емкость эмиттерного перехода и емкость CKi включены параллельно зажимам четырехполюсника теоретической модели. Поэтому целесообразно рассматривать теоретичес-скую модель транзистора совместно с этими емкостями. [57]
Многие компании выводят на рынок новые товары, которые не отвечают одному или нескольким из перечисленных критериев. Изобретатели, которые озабочены лишь технической новизной изделия, обычно мало интересуются потребительскими выгодами их детища. Например, в Bell Labs была разработана революционная модель транзистора, но компании не удалось вывести ее на рынок. [58]
Анализируются работы, посвященные этому вопросу. Дано качественное рассмотрение процессов в коллекторном переходе транзистора при больших уровнях инжекции, изменение предельной частоты fr при изменении режима по постоянному току. Оценены составляющие пролетные времена ta, te для модели транзистора с линейным распределением примеси в коллекторном переходе. [59]
При использовании данного метода предварительно задаются начальные приближения аргументов. В процессе итераций указанные значения корректируются и округляются. В результате ошибок, обусловленных этим, в пределах моделей транзисторов возникает резкое несоответствие токов и напряжений на малых и больших сопротивлениях их истинным значениям. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5