Модель - транзистор
Cтраница 2
 |
Геометрия транзисторов типов ГТ311 ( а и ГТ313 ( б. [16] |
Приближенная численная оценка по формулам для бездрейфовой модели транзистора [7] также оправдывает сделанное допущение. После сделанных упрощений эквивалентная схема ОТМ принимает вид, показанный на рис. 2 штриховой линией. [17]
 |
Эквивалентная схема биполярного транзистора. [18] |
Примером математической модели сложного компонента может служить модель транзистора. На рис. 3.3 представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, на которой зависимые от напряжений источники тока i - / тэехр ( мз / ( / ифт)) и im ехр ( иJ / ( mq)) отображают статические вольт-амперные характеристики / 7-и-переходов; / та и ik - тепловые токи переходов; / жрт - температурный потенциал; иэи ик - напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах; Сэ и Ск - емкости переходов; R и R - сопротивления утечки переходов, R6n Лк - объемные сопротивления тел базы и коллектора; i Bi - ВJ - источник тока, моделирующий усилительные свойства транзистора; В и Ви - прямой и инверсный коэффициенты усиления тока базы. [19]
Для определения частотной зависимости дифференциальных параметров необходима модель транзистора, отображающая его структуру. В качестве такой модели может быть использована гибридная схема замещения транзистора, к рассмотрению которой и перейдем. [20]
Решение будем проводить, считая, что модель транзистора одномерная, электрическое поле в базе равно нулю, генерация и рекомбинация в / 7-л-переходах отсутствуют и уровень инжекции эмиттера мал. [21]
 |
Изменение заряда, накопленного в базе вследствие Смещения границы коллекторного перехода.| Высокочастотная малосигнальная модель транзистора. [22] |
Для того чтобы учесть эти токи, модель транзистора должна быть дополнена емкостями переходов Сьэ и СЬк. Кроме того, изменение толщин переходов при изменении напряжений сопровождается изменением толщин базы. Модуляция толщины базы в основном определяется модуляцией толщины коллекторного перехода, изменяющегося в довольно широких пределах. [23]
Рассмотрим представленную на рис. 1.3 модифицированную схему модели транзистора, не содержащую нелинейных источников. [24]
При рассмотрении этого вопроса допущение об одномерности модели транзистора сохраняется. Однако теперь учитывается поле в базовой области. [25]
Нарушение равновесия токов и напряжений в пределах модели транзистора в процессе численного решения часто приводит к тому, что итерационный процесс расходится даже при условии задания довольно точных начальных приближений. [26]
 |
Упрощенная нелинейная модель биполярного транзистора. [27] |
Для приближенного анализа нелиней - jo - ную модель транзистора упрощают, пренебрегая влиянием всех сопротивлений схемы. [28]
 |
Простейшая схема замещения биполярного транзистора ( а, схема усилительного каскада ( б. [29] |
Если необходимо сделать расчет более точным, то модель транзистора можно усложнить введением других параметров, которые не учитывались при составлении схемы, изображенной на рис. 4.3 о. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5