Барьерная емкость

Cтраница 1

Барьерные емкости истокового Сип и стокового Ссп переходов определяются площадями переходов и концентрацией примесей в подложке. Для снижения этих емкостей подложка должна быть слаболегированной, а длина областей истока, стока ( в направлении канала) - минимальной. Целесообразно также подавать отрицательное напряжение на подложку. [1]

Распределение примесей ( а, объемных зарядов ( б, напряженности поля ( в и потенциала ( г в ступенчатом р-п-пе-реходе при термодинамическом равновесии. [2]

Барьерная емкость или емкость р-п-пе-рехода приблизительно равна емкости плоского конденсатора той же толщины, что и запорный слой. [3]

Барьерная емкость p - n - перехода проявляется при приложении к p - n - переходу изменяющегося во времени напряжения. При этом через р-л-переход проходит ток. Та доля тока, которая не связана с движением носителей заряда через p - n - переход, и определяет барьерную емкость. [4]

Кусочно-линейная аппроксимация прямой ветви вольт-амперной характеристики диода тремя участками ( а и соответствующая ей схема замещения ( б. [5]

Барьерная емкость возникает из-за модуляции толщины обедненного слоя напряжением на р-я-пере-ходе и проявляется в первую очередь при обратных смещениях перехода, когда диффузионная емкость мала. [6]

Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения 6 I. [7]

Барьерная емкость вредно влияет на выпрямление переменного тока, так как шунтирует диод и через нее на более высоких частотах проходит переменный ток. Однако барьерная емкость бывает и полезной. Специальные диоды ( варикапы и варакторы) используют в качестве конденсаторов переменной емкости для настройки колебательных контуров, а также в некоторых схемах, работа которых основана на свойствах нелинейной емкости. В отличие от обычных конденсаторов переменной емкости, в которых изменение емкости происходит механическим путем, в варикапах это изменение достигается регулировкой обратного напряжения. Такую настройку колебательных контуров называют электронной настройкой. [8]

Энергетические диаграммы контакта металл - электронный полупроводник, когда фотФа. [9]

Барьерная емкость будет рассмотрена в следующем параграфе. [10]

Барьерная емкость уменьшается с увеличением напряжения обратного смещения. [11]

Барьерная емкость зависит от удельного сопротивления и подвижности носителей, от толщины и площади перехода и напряжения на нем. [12]

Барьерная емкость - электрическая емкость электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного к р - - п-пе-реходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [13]

Барьерная емкость - электрическая емкость электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного к р-п переходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [14]

Барьерная емкость - электрическая характеристика электронно-дырочного перехода, обусловленная зарядами ионов примесного вещества в обедненном слое. Играет существенную роль при обратной полярности приложенного кр - n - переходу напряжения и уменьшается с увеличением этого напряжения. [15]

Страницы: 1 2 3 4