Cтраница 4
Зависимости барьерных емкостей от иапряжения описываются в модели Гуммеля - Пуна выражением (10.6), а в других модификациях передаточной модели так же, как и в инжекционной модели. [46]
Кроме барьерной емкости р - - переход обладает диффузионной емкостью. Если барьерная емкость связана с неподвижными зарядами на границах обедненной области, то диффу - знойная емкость связана с зарядами носителей тока. Они инжектируются в обедненную область и распространяются вследствие диффузии, Диффузионная емкость пропорциональна току, проходящему через р - / г-переход. Хотя р - / г-переход, смещенный в прямом направлении, - обладает и барьерной емкостью, последняя все же меньше диффузионной. [47]
Помимо барьерной емкости переходу свойственна так называемая диффузионная емкость, вызванная инжекцией дырок в п-область ( или электронов в р-область) при прямом смещении перехода. Величина диффузионной емкости зависит от заряда носителей, накопленных в полупроводниковых слоях за пределами р-п-пере-хода за счет прямого тока. Диффузионная емкость пропорциональна току и практически всегда намного больше барьерной емкости при прямом смещении перехода. [48]
Величина барьерной емкости зависит от площади р-и-перехода и его толщины х0, которая в свою очередь зависит от обратного напряжения. Барьерная емкость косвенно влияет на частотные свойства вентиля. С увеличением барьерной емкости возрастают потери при обратном напряжении. [49]
Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на p - n - переходе и перезарядка этой емкости под действием изменяющегося напряжения обусловлены смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях. [50]
Расчет барьерной емкости эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера часто задается ток ( см. § 4.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора. [51]
Наличие барьерной емкости Ск Се коллекторного перехода, определяемой равенством (2.1) и подключенной параллельно активному сопротивлению гк, приводит к увеличению проводимости этого параллельного соединения. Поэтому с ростом частоты переменного сигнала снижается доля переменного тока / к, поступающего во внешнюю нагрузку ( снижается hzie) - Таким образом, конечная скорость движения неосновных носителей через базу и емкость Ск вызывает наличие фазовых сдвигов между токами на входе и выходе транзистора, что обусловливает комплексный характер коэффициента передачи тока Й216 и снижение его модуля с ростом частоты. [52]
Наличие барьерной емкости Сд р-п перехода у диода с накоплением заряда приводит к снижению коэффициента усиления на высоких частотах. [53]
Расчет барьерной емкости эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера часто задается ток ( см. § 4.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора. [54]
Сбо - барьерная емкость при нулевом напряжении на переходе; Uo - барьерный потенциал, равный 0 7 - 0 9 в для кремниевого диода и 0 3 - 0 4 в для германиевого. [55]
Сб - барьерная емкость, MFT - температурный потенциал, г - постоянная времени, Gy - проводимость утечки. [56]
Собар - удельная барьерная емкость в рабочей части перехода; С бар - удельная барьерная емкость боковой поверхности перехода; Spae - площадь рабочей поверхности перехода; 5б0к - площадь боковой поверхности перехода, равная произведению периметра перехода на его глубину. [57]
Однако приращение барьерной емкости у диодов диапазона миллиметровых волн мало по сравнению с емкостью корпуса и точность его измерения непосредственно на шкале суммарной емкости диода низка. [58]
Длительность перезаряда барьерной емкости фотодиода при малом сопротивлении нагрузки определяется постоянной времени Сварив, где ГБ - сопротивление базы диода. Значение постоянной времени Сварив для обычных фотодиодов составляет около 1 не. [59]