Барьерная емкость
Cтраница 3
Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пф), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 Мгц инжектированные носители заряда за время обратного цикла не успевают рекомбинировать. [31]
Наибольшую удельную барьерную емкость С0 имеет переход эмиттер - база, однако низкое пробивное напряжение этого перехода ( t / пр. В) ограничивает возможности его практического использования. [32]
Наибольшую удельную барьерную емкость Со имеет переход эмиттер - база, однако низкое пробивное напряжение этого перехода ( t / пр. В) ограничивает возможности его практического использования. [33]
Поэтому барьерная емкость должна быть связана с прохождением токов смещения. [34]
 |
Эквивалентная ких частотах. Однако в варикапе ( как и. [35] |
Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на p - n - переходе и перезарядка этой емкости под действием изменяющегося напряжения обусловлены смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях. [36]
 |
Зависимость относительного значения выпрямленного тока от частоты переменного напряжения. [37] |
Перезаряд барьерной емкости, затягивающий в основном фазу спада тока диода, зависит от значения R, поэтому с увеличением R частотный диапазон выпрямленных токов сужается. [38]
 |
Зависимость барьерной емкости от напряжения на / j - л-переходе. [39] |
Зависимость барьерной емкости от приложенного напряжения приведена на рис. 2.4. Теоретически барьерная емкость существует и при прямом напряжении на / 7-л-переходе, однако она шунтируется низким дифференциальным сопротивлением гдиф. [40]
Определение барьерной емкости путем вычитания емкости корпуса из измеренной суммарной емкости, принятой для данного типа диода за постоянную величину, обеспечивает достаточную точность, если значение барьерной емкости по крайней мере на порядок больше конструктивно-технологического разброса величины емкости корпуса АСп, который, как правило, составляет 10 % от среднего значения. [41]
Измерение барьерной емкости производят при обратном смещении. Параметры элементов схемы указаны на стенде. [42]
Расчет барьерной емкости, эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего, в этом случае обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера чаще всего задается ток ( см. § 2.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора. [43]
Изменение барьерной емкости при изменении напряжения на электронно-дырочном переходе, а также заряд и разряд этой емкости под действием изменяющегося напряжения обусловлен смещением основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях. [44]
Определение барьерной емкости путем вычитания емкости корпуса из измеренной суммарной емкости, принятой для данного типа диода за постоянную величину, обеспечивает достаточную точность, если значение барьерной емкости по крайней мере на порядок больше конструктивно-технологического разброса величины емкости корпуса АСп, который, как правило, составляет 10 % от среднего значения. [45]
Страницы: 1 2 3 4