Барьерная емкость
Cтраница 2
 |
Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [16] |
Барьерная емкость плоскостных диодовг изготовляемых методом вплавления примесей, уменьшается с повышением обратного. [17]
 |
Процессы установления обратного тока. [18] |
Барьерная емкость ( 2 - 24) нелинейна и уменьшается при увеличении обратного напряжения. [19]
Барьерные емкости смещенных в обратном направлении эмит-терного и коллекторного переходов аналогичны емкостям одиночных р-п переходов. [20]
 |
Вольт-амперная характеристика диода. [21] |
Барьерная емкость обусловлена током смещения. Ее значение зависит от площади S и ширины 5 р-п перехода. [22]
Барьерная емкость запертого р-п перехода, которая часто используется в - качестве конденсатора ИМ, очень чувствительна к радиоактивному излучению и поэтому не рекомендуется для применения в радиационно-стой-ких ИМ. [23]
Барьерная емкость Сб представляет изменение заряда в / - области под действием приложенного напряжения. Поскольку Сб зависит от приложенного напряжения, то - - переход можно использовать в качестве конденсатора переменной емкости. [24]
 |
Модель полупроводникового диода ( а и представление ее управляемого источника кусочно-линейной характеристикой ( б и нелинейной характеристикой ( в. [25] |
Барьерная емкость Сбар моделирует приращение пространственного заряда при изменении напряжения на р-я-переходе. Для современных приборов характерно плавное распределение примеси в р - - переходе, которое точнее описывается при использовании в этом выражении другого показателя степени вместо квадратного корня. [26]
Барьерная емкость р-и-перехода проявляется при приложении к p - n - переходу изменяющегося во времени напряжения. При этом через p - n - переход проходит ток. Та доля тока, которая не связана с движением носителей заряда через p - n - переход, и определяет барьерную емкость. [27]
Барьерная емкость р-я-перехода проявляется при приложении к р-я-переходу изменяющегося во времени напряжения. При этом через p - n - переход проходит ток. Та доля тока, которая не связана с движением носителей заряда через р-я-переход, и определяет барьерную емкость. [28]
Барьерная емкость полупроводникового диода с резким переходом равна 25 пФ при обратном напряжении 5 В. [29]
 |
Вольт-амперная характеристика германиевого точечного диода. [30] |
Страницы: 1 2 3 4