Cтраница 1
Барьерная емкость перехода вплоть до очень высоких частот ( 1010 - 10й гц) не зависит от частоты, и для каждого типа диода определяется лишь величиной запирающего ( обратного) напряжения. [1]
Барьерная емкость перехода вместе с индуктивностью рассеяния образует ударный резонансный контур, создающий опасные всплески обратного напряжения на запирающемся диоде. Поэтому в ряде случаев коммутации диоды приходится шунтировать ЛС-цепочками. [2]
Барьерная емкость р-п перехода лишена указанных недостатков и поэтому широко используется во многих радиотехнических устройствах. [3]
Барьерная емкость р-п перехода может рассматриваться как емкость плоского конденсатора с расстоянием б между обкладками. Эта емкость тем больше, чем больше концентрация примесей в полупроводнике, так как с ростом NK сужается область р-п перехода. [4]
Барьерная емкость р-п перехода лишена указанных недостатков и поэтому широко используется во многих радиотехнических устройствах. [5]
Барьерные емкости переходов сверхвысокочастотных транзисторов очень малы ( десятые доли пикофарад), поэтому на граничную частоту влияют паразитные емкости и индуктивности выводов. Конструкции корпусов должны обеспечивать малые значения этих параметров. [6]
Определение барьерных емкостей переходов транзистору в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 2.8. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебречь контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [7]
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 2.8. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебречь контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [8]
Зависимость барьерной емкости р-п перехода от приложенной разности потенциалов позволяет применять переход в качестве управляемой емкости. Диоды, используемые для этой цели, называются варикапами. Изготовляются они как в виде точечных, так и в виде плоскостных структур и характеризуются относительно высокой добротностью, малым температурным коэффициентом и низким уровнем собственных шумов. [9]
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 1.10. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебрегать контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [10]
Определение барьерных емкостей переходов транзистора в принципе ничем не отличается от расчетов, приведенных в § 2.8. При расчете барьерной емкости коллектора часто можно пренебречь контактной разностью потенциалов, учитывая, что постоянное напряжение на коллекторе довольно велико. [11]
Поскольку величина барьерной емкости перехода обратно пропорциональна его площади, для повышения быстродействия необходимо уменьшить геометрические размеры элементов и увеличить рабочую силу тока. [12]
Выражение (1.19) определяет так называемую барьерную емкость р-п перехода при заданном напряжении на нем. Ее существование не связано с протеканием тока через переход, и, за исключением нелинейности, барьерная емкость р-п перехода аналогична по свойствам емкости обычного конденсатора. [13]
Как видно из формулы (2.76), барьерная емкость р-п перехода зависит от напряжения смещения. [14]
В этом случае основную роль играет барьерная емкость перехода Сб. Наоборот, при больших прямых токах емкость перехода определяется величиной диффузионной емкости Сдиф, которая значительно превышает барьерную. [15]