Барьерная емкость - переход
Cтраница 2
 |
Процессы установления обратного тока. [16] |
Этот процесс практически является безынерционным, поэтому барьерная емкость р-п перехода не зависит от частоты во всем диапазоне используемых в радиоэлектронике частот. [17]
Для повышения быстродействия элементов МЭСЛ необходимо уменьшать барьерные емкости р-п переходов, паразитные емкости проводников, сопротивление базы, ограничивать число нагрузок и увеличивать граничную частоту транзисторов. Все это достигается совершенствованием конструкции и технологии изготовления микросхем. Уменьшение сопротивления RK ограничено увеличением потребляемой мощности. [18]
 |
Эквивалентная схема. [19] |
В главе 2 было показано, что барьерная емкость р-п перехода зависит от напряжения. Поэтому практически любой полупроводниковый диод может служить конденсатором с емкостью, управляемой напряжением. [20]
 |
Диффузионный резистор. [21] |
В полупроводниковых интегральных схемах в качестве конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, который формируется в островках кремниевой пластины одновременно с формированием транзисторов интегральной схемы способом диффузии; р-п переход включается в обратном направлении. [22]
В интегральных полупроводниковых схемах для создания конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, поэтому технология создания диода и конденсатора одинаковы. Конденсатором иногда служит также МДП-структура. В том и другом случае необходимая величина емкости достигается выбором степени легирования полупроводника и выбором площади диода. [23]
 |
Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой. [24] |
На частотные свойства диодов Шотки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной емкости перехода. [25]
 |
Пути токов в базе транзисторов ( схематично. а - спланного. б - пленарного. [26] |
Кроме того, и само сопротивление базы определяет значение постоянных времени заряда барьерных емкостей переходов. [27]
 |
Эквивалентная схема диода.| Временные диаграммы напряжения при прохождении через диод прямоугольного импульса тока. [28] |
Параллельно / o - n - переходу включена емкость Сд, учитывающая барьерную емкость перехода. [29]
Основное влияние на характер установления токов и напряжений оказывают процессы заряда и разряда барьерной емкости р-п перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5