Барьерная емкость - переход
Cтраница 4
При этом необходимо также учесть, что выходная емкость интегрального транзистора состоит не только из барьерной емкости коллекторного перехода, но и из барьерной емкости изолирующего перехода между областью коллектора интегрального транзистора и остальной частью кристалла. [46]
 |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [47] |
Как видно из рис. 14 - 12, с увеличением частоты чувствительность фотоэлемента надает, что определяется инерционными свойствами фотоэлемента, в основном постоянной времени перезаряда барьерной емкости р-п перехода. [48]
 |
Спектральные характеристики фотоэлементов.| Частотная характеристика фотоэлементов. [49] |
Как видно из рис. 14 - 12, с увеличением частоты чувствительность фотоэлемента надает, что определяется инерционными свойствами фотоэлемента, в основном постоянной времени перезаряда барьерной емкости р-п перехода. [50]
Первое слагаемое тока базы определяет составляющую тока, связанную с изменением заряда Q6, второе слагаемое соответствует току, характеризующему скорость рекомбинации заряда неосновных носителей в базе, третье слагаемое соответствует емкостной составляющей тока, связанной с перезарядом барьерной емкости перехода коллектор - база. [51]
 |
Модели транзисторов в режиме малого сигнала, соответствующие трем системам параметров четырехполюсника. [52] |
Итак, модель Гуммеля - Пуна позволяет учесть такие эффекты при работе реальных транзисторов в режиме передачи большого сигнала, как зависимости ширины базы, коэффициента усиления по току и сопротивления базы от тока коллектора, а также зависимости барьерных емкостей переходов от приложенных напряжений. Благодаря этим особенностям модель Гуммеля - Пуна обеспечивает хорошее приближение моделируемых статических и динамических характеристик транзисторов к реальным. [53]
Барьерная емкость р-п перехода практически не зависит от частоты, а поскольку она имеет хорошую добротность и низкий уровень шумов, появляется возможность применения варикапов в схемах СВЧ диапазона. [54]
Основная причина, обусловливающая столь сильное расхождение, связана с диффузионным механизмом передачи тока в полупроводниковых диодах. Поэтому барьерная емкость перехода, как правило, оказывает второстепенное влияние на частотные и выпрямляющие свойства диодов. [55]
Электронно-дырочный переход кроме односторонней проводимости обладает электрической емкостью. Различают барьерную емкость перехода при обратном включении и диффузионную емкость перехода при прямом включении. [56]
НОм представляет собой барьерную емкость р-п перехода при заданном напряжении смещения. Для высокочастотных варикапов ока составляет несколько десятков, а для низкочастотных - десятки тысяч пикофарад. [57]
НОМ представляет собой барьерную емкость р-п перехода при заданном напряжении смещения. Для высокочастотных варикапов она составляет несколько десятков, а для низкочастотных - десятки тысяч пикофарад. [58]
 |
Принципиальная схема потенциально-импульсного счетного триггера.| Принципиальная схема счетного триггера типа К2ТК171. [59] |
Принцип использования емкостей конденсаторов в качестве элементов памяти в различных вариантах встречается при реализации счетных триггеров не только в дискретном, но и в интегральном исполнении. В последнем случае используются барьерные емкости р-п переходов и диффузионные емкости диодов и транзисторов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5