Барьерная емкость - переход
Cтраница 3
Таким образом, инерционность ТД в ключевом режиме обусловлена, главным образом, барьерной емкостью р-п перехода. [31]
Инерционность переключения транзистора из одного режима в другой связана с изменением напряжений на барьерных емкостях переходов и с необходимостью перераспределения неосновных носителей заряда в объеме транзистора. Следовательно, сама природа преобразования сигнала в транзисторе ( диффузия и дрейф неосновных носителей заряда) обусловливает необходимость накопления и рассасывания носителей заряда в пространственно различных объемах материала, что, конечно, не может происходить безынерционно. В электровакуумных приборах инерционностью процесса перемещения ( дрейфа) заряженных частиц от анода к катоду обычно пренебрегают по сравнению с инерционностью перезаряда междуэлектродных н монтажных емкостей. [32]
В линейных вольтметрах средневыпрямленного значения без предварительного усиления большое влияние на частотную погрешность оказывают барьерные емкости р-п переходов закрытых диодов, так как с ростом частоты их сопротивление резко уменьшается Поэтому рабочий диапазон простейших вольтметров ограничивается сотнями килогерц. [33]
Частотные свойства биполярного транзистора определяются временем пролета неосновных носителей заряда через базу и временем перезаряда барьерных емкостей переходов. Относительная роль этих факторов зависит от конструкции и режима работы транзистора, а также от сопротивлений во внешних цепях. [34]
 |
Диаграммы тока п напряжения диода при прохождении импульса. [35] |
Длительность этапа восстановления обратного тока зависит как от значения тр, так и от значений барьерной емкости р-п перехода Сбар и сопротивления R, Чем больше Сбар и R, тем медленнее спадает ток в течение этого этапа. [36]
Инерционность переходных процессов связана в первую очередь с накоплением неосновных носителей заряда в базе и перезарядом барьерных емкостей р-п переходов транзистора. [37]
В действительности значение fa всегда ниже, чем fn, ибо по мере повышения частоты начинают сказываться барьерные емкости р-п переходов, через которые ответвляется часть переменной составляющей усиливаемого тока. [38]
 |
Схема выходного преобразователя. [39] |
Использование разбаланса реактивных сопротивлений может оказаться предпочтительнее при работе на очень высоких частотах вследствие чрезвычайно малой инерционности барьерной емкости р-п перехода. [40]
На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; Ucu является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя Я на вольт-фарадной характеристике. [42]
На рис. 2 - 22, б, в показаны временные диаграммы управляющего напряжения на варикапе и изменения барьерной емкости р-п перехода; t / CM является напряжением смещения, которое определяет исходное положение точки покоя П на вольт-фарадной характеристике. [44]
 |
Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5