Диффузионная емкость
Cтраница 1
Диффузионная емкость хотя и имеет сильную зависимость от напряжения, но связана с инжекцией неосновных носителей. [1]
Диффузионные емкости характеризуют изменение заряда в базе под влиянием изменений напряжений а переходах. [2]
 |
Емкости р-п-перехода.| Полупроводниковые диоды. [3] |
Диффузионная емкость существенно сказывается только на низких частотах. С учетом емкости С р-я-переход может быть представлен эквивалентной схемой ( рис. 23 6), в которой RI - сопротивление материала кристалла, R2 - сопротивление запирающего слоя, С0 - общая емкость р - - перехода. [4]
Диффузионная емкость, связанная с накоплением инжектированных неосновных носителей, много больше зарядной емкости перехода. [5]
Диффузионная емкость отражает перераспределение зарядов в базе при изменении напряжения смещения эмиттерного перехода и определяется как СЭДиф dQ6 / dl / B3, где QQ - избыточный заряд неосновных носителей в базе. [6]
 |
Кусочно-линейная аппроксимация прямой ветви вольт-амперной характеристики диода тремя участками ( а и соответствующая ей схема замещения ( б. [7] |
Диффузионная емкость при обратном смещении диода мала. [8]
Диффузионные емкости отсутствуют, так как коллекторный переход в активном режиме всегда смещен в обратном направлении, поэтому диффузионная емкость коллектора мала. Эта схема учитывает основные факторы, снижающие быстродействие транзистора, и достаточно точна для приближенного исследования большинства импульсных процессов. [9]
 |
Полная и упрощенные эквивалентные схемы полупроводникового диода.| Влияние температуры на вольт-амперную характеристику диода. [10] |
Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но использовать ее не удается, так как она зашунтирована малым прямым сопротивлением самого диода. [11]
Диффузионная емкость увеличивается с увеличением прямого тока. Кэоме того, она тем больше, чем больше время жизни неосновных инжектированных носителей заряда, так как при этом меньше рекомбинация и больше носителей накапливается у границы р-и-перехода. [12]
Диффузионная емкость как параметр характеризует зависимость приращения подвижных зарядов в базе от приращения напряжения на переходе. Соответственно в транзисторах различают диффузионные емкости - эмиттерную и коллекторную. Обычно в нормальном активном режиме Сэ. [13]
Диффузионная емкость, обусловленная накоплением зарядов в базовой области при прохождении прямого тока, оказывает основное влияние на частотные свойства вентилей. [14]
Диффузионная емкость оказывает большое влияние на быстродействие диодов. Диффузионная емкость тем больше, чем больше прямой ( диффузионный) ток через диод. С увеличением температуры диффузионная емкость падает. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5