Диффузионная емкость

Cтраница 3

Полубесконечный R, С-кабель ( а и эквивалентная электрическая схема ячейки с импедансом Варбурга ( б. [31]

Диффузионная емкость CD и диффузионное сопротивление RD отличаются от обычных емкостей и сопротивлений тем, что зависят от частоты переменного тока со. [32]

Зависимость емкости ступенчатого ( а и плавного ( б переходов от обратного напряжения. [33]

Диффузионная емкость Сд заряжается как инжектированными дырками, так и электронами, компенсирующими заряд инжектированных дырок. [34]

Диффузионная емкость базы дрейфового транзистора получилась довольно большой, что отражает малую обратную связь между цепями коллектора и эмиттера из-за малого влияния модуляции толщины базы. [35]

Диффузионную емкость обычно связывают с изменением заряда инжектированных носителей при изменении напряжения на диоде. Действительно, инжектированные носители в течение некоторого времени существуют в областях диода, примыкающих к p - n - переходу. При изменении напряжения часть накопленных неосновных носителей может возвратиться в p - n - переход и пройти через него в соседнюю область. Образующийся при этом ток аналогичен емкостному току. [37]

Диффузионную емкость обычно связывают с изменением заряда инжектированных носителей при изменении напряжения на диоде. Действительно, инжектированные носители в течение некоторого времени существуют в областях диода, примыкающих к р-я - переходу. При изменении напряжения часть накопленных неосновных носителей может возвратиться в p - n - переход и пройти через него в соседнюю область. Образующийся при этом ток аналогичен емкостному току. [38]

Зависимость барьерной емкости р-л-перехо-да от напряжения.| Переключение р-п-перехода с прямого напряжения на обратное. э - цепь из резистора и / 7-л-перехода, зависимости от времени напряжения в цепи ( б, напряжения на р-л-переходе ( в и тока ( г. [39]

Происхождение диффузионной емкости связано с изменением полного заряда инжектированных р-п-переходом неосновных носителей заряда при прохождении прямого тока. [40]

Значение диффузионной емкости прямо пропорционально току диода в прямом направлении. Так как сопротивление диода приблизительно обратно пропорционально прямому току, то постоянная времени диода, или его граничная частота, практически не зависит от тока и является постоянной величиной. [41]

Величина диффузионной емкости тем больше, чем больше ток через р - - переход. Она также зависит от времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике. Неосновной носитель, введенный в полупроводник в течение некоторого времени, будет в нем существовать, двигаясь внутри него. Время, прошедшее от момента появления неосновного носителя до момента его рекомбинации, называется временем жизни. [42]

Кроме диффузионной емкости, причиной появления реактивной составляющей тока в электронно-дырочном переходе является изменение величины суммарного объемного заряда в p - n - переходе при изменении напряжения, что также вызывает появление реактивного тока. [43]

Объяснение диффузионной емкости аналогично только что приведенному нами объяснению диффузионного сопротивления. [44]

Распределение концентрации эквивалентной примеси в диффузионном диоде. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5