Диффузионная емкость

Cтраница 4

Кроме диффузионной емкости на переходные процессы в импульсных диодах влияет также и барьерная емкость, зависящая от площади р-п перехода, поэтому некоторые ( маломощные) импульсные диоды выполняются в виде точечных диодов. Для импульсных диодов иногда указывают максимальное импульсное прямое напряжение f / пр. [46]

Распределение концентрации эквивалентной примеси в диффузионном диоде. [47]

Кроме диффузионной емкости на переходные процессы в импульсных диодах влияет также и барьерная емкость ( как междуэлектродная емкость в вакуумном диоде), поэтому некоторые ( маломощные) импульсные диоды выполняются в виде точечных диодов. [49]

Кроме диффузионной емкости на переходные процессы в импульсных диодах влияет зарядная емкость, поэтому некоторые маломощные импульсные диоды выполняются в виде точечных диодов. [50]

Влияние диффузионной емкости на работу транзистора можно учесть, шунтируя эмиттерный и коллекторный переходы диффузионными емкостями Сд9 и Сдк. Таким образом, в емкости переходов Сэ и Ск составной частью входит и диффузионная емкость. [51]

Зависимость динамических параметров коэффициента пе - где при достаточно малых значениях редачи тока от постоянной времени т полагают С 0 25. эмиттер ной цепи. Общий важный вывод состоит в. [52]

Понятие диффузионной емкости было введено при рассмотрении диодов ( см. § 2 - 9) как параметр, характеризующий зависимость приращения заряда в базе от приращения напряжения на переходе. Соответственно в транзисторах различают две диффузионные емкости - эмиттерную и коллекторную. [53]

Особенностью диффузионной емкости является то, что она представляет собой до некоторой степени фиктивную емкость. Наличие этой емкости не связано, например, с протеканием токов смещения через переход. [54]

Наличие диффузионной емкости в интегральных микросхемах нежелательно, поскольку она ухудшает импульсные и частотные свойства р - - перехода. Последний обладает индуктивными свойствами, если к нему приложено скачкообразное напряжение в прямом направлении, значительно превышающее величину рк, а инжектированные носители по мере растекания будут уменьшать сопротивление базы, что приведет к возрастанию тока во времени. [55]

Увеличение диффузионной емкости сопровождается ростом проводимости, снижающей добротность варикапа. При напряжении и 0 дифференциальная емкость С ( и) ( рис. 22.12, б) равна емкости С0, являющейся постоянным параметром. [56]

Величина диффузионной емкости пропорциональна току через переход. [57]

Эквивалентная схема транзисторного усилителя ОЭ. [58]

Определение диффузионной емкости Сэ и сопротивления гяо дано выше, Сэ. [59]

Чем отличается диффузионная емкость от емкости обедненного слоя в полупроводниковом диоде. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5