Диффузионная емкость

Cтраница 2

Диффузионная емкость - электрическая емкость полупроводникового диода или другого полупроводникового прибора, содержащего р - n - переход, обусловленная накоплением в толще полупроводника неосновных носителей. Избыточное количество неосновных носителей появляется в результате прохождения тока через р - n - переход и возрастает с увеличением этого тока. [16]

Диффузионная емкость - электрическая емкость полупроводникового диода или другого полупроводникового прибора, содержащего р - п переход, обусловленная накоплением в толще полупроводника неосновных носителей. Избыточное количество неосновных носителей появляется в результате прохождения тока через р - п переход и возрастает с увеличением этого тока. Однако при изменении тока общий заряд неосновных носителей изменяется с некоторым запозданием, зависящим от времени жизни этих носителей в данном материале, что придает р - я переходу свойства, аналогичные электрической емкости. [17]

Диффузионная емкость - электрическая емкость полупроводникового диода или другого полупроводникового прибора, содержащего р-п-переход, обусловленная накоплением в толще полупроводника неосновных носителей. Избыточное количество неосновных носителей появляется в результате прохождения тока через р-п-переход и возрастает с увеличением этого тока. Однако при изменении тока общий заряд неосновных носителей изменяется с некоторым запозданием, зависящим от времени жизни этих носителей в данном материале, что придает р-п-пере-ходу свойства, аналогичные электрической емкости. [18]

Эквивалентная схема полупроводникового диода для средних частот.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для диапазона СВЧ. [19]

Диффузионная емкость зависит от частоты тока и с повышением частоты убывает, стремясь к нулю. Сопротивление объема полупроводника г зависит от концентрации носителей в полупроводнике и при больших токах через диод уменьшается. Точный учет всех этих зависимостей достаточно сложен, и на практике часто считают элементы С и г линейными, приписывая им средние за период рабочей частоты значения. [20]

Диффузионная емкость создается накоплением в пограничных областях перехода носителей зарядов, не успевших рекомбинировать. Диффузионная емкость увеличивается при повышении прямого напряжения. [21]

Вольт-амперная характеристика диода. [22]

Диффузионная емкость проявляется при прямом смещении диода, когда проводимость его велика и велики потери мощности из-за относительно больших активных токов через диод. [23]

Диффузионная емкость не оказывает существенного влияния на работу р-п перехода, так как она всегда зашунтирована малым прямым сопротивлением перехода. Наибольшее практическое значение имеет барьерная емкость. [24]

Диффузионная емкость увеличивается с увеличением прямого тока, Кроме того, она тем больше, чем больше время жизни неосновных инжектированных носителей заряда, так как при этом меньше рекомбинация и больше носителей накапливается у границы р-п-перехода. [25]

Диффузионная емкость не оказывает существенного влияния на работу / - я-перехода, так как она всегда зашунтирована малым прямым сопротивлением Ra. [26]

Эквивалентная схема триода с общей базой, справедливая до критической частоты ал. [27]

Диффузионная емкость Св характеризует инерционность, с которой устанавливается градиент концентрации в базе. [28]

Зависимость емкости диода Сзар от величины обратного смещения. [29]

Диффузионная емкость СДИф, связанная с переходом неосновных носителей, зависит от режима, времени существования неосновных носителей и частоты подводимого к диоду напряжения. С увеличением частоты диффузионная емкость резко падает, и в диапазоне сверхвысоких частот ею практически можно пренебречь. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5