Входная емкость - транзистор
Cтраница 1
 |
Диаграмма работы регистра сдвига на динамических элементах. [1] |
Входные емкости транзисторов показаны штриховыми линиями. На рис. 8 - 31 приведена диаграмма импульсов в точках а, б, в, характеризующая работу схемы. В промежутках между тактовыми импульсами транзисторы Т2, ТЗ, Т5, Т6 закрыты, схема практически не потребляет энергии. Емкости Clt C2, С3 запоминают напряжение на время промежутков между тактовыми импульсами. При этом открывается транзистор Т1, но напряжение в точке б остается равным Е, так как коммутирующий транзистор ТЗ закрыт и емкость С2 разряжается медленно. Напряжение и6 устанавливается равным Е, транзистор Т4 закрывается. Как видно из схемы на рис. 8 - 30, ток заряда С2 протекает через ТЗ в одном направлении, а ток разряда - в противоположном. Способность проводить ток в обоих направлениях является характерной особенностью МДП-транзисторов и используется при построении логических схем. [2]
Входная емкость транзистора намного больше, чем входная емкость электронной лампы, что в сильной степени ограничивает полосу пропускания видеоусилителей. [3]
Фа входная емкость транзистора Т6 разряжается через транзисторы Т2 и TS. Тактовый импульс Ф не изменяет заряд на выходе схемы, так как транзисторы Т3 и Ts заперты. Заряд на выходной емкости сохраняется до момента прихода на вход сигнала логического нуля. Таким образом происходит продвигание входного импульса на выход регистра сдвига. [5]
Если входная емкость транзистора Т, которую можно найти по ф-ле (4.111), положив К, не создает во входной цепи или предыдущем каскаде значительных частотных искажений на высшей рабочей частоте, конденсатор Сэ рассчитывают по ф-ле (7.89), исходя из допустимых частотных искажений на низшей рабочей частоте. [6]
Влияние входной емкости транзистора Т первого каскада ска-ывается в уменьшении размаха видеосигнала и отношения сигнал / ( ум на его входе в области верхних частот спектра. [7]
 |
Состояние переключателей банков ( к ответу на вопрос п. 19 заданий для самопроверки. [8] |
ОЗУ, то входные емкости транзисторов разряжаются, что приводит к потере данных. [9]
Сяг, - усредненная входная емкость транзистора; Ск - емкость коллекторного перехода; Сд - усредненная емкость закрытого диода, R v Rv r; r § - объемное сопротивление базы; / о - начальный ток диода; т - поправочный коэффициент, определяемый типом диода. [10]
 |
Регулировка усиления отрицательной обратной связью по току. [11] |
Это происходит из-за влияния входной емкости транзистора. [12]
В (20.1.1) предполагается, что входная емкость транзистора не зависит от приложенного напряжения, хотя, как правило, она несколько снижается при возрастании напряжения сток-исток. [13]
Включение резистора R5 уменьшает также входную емкость транзистора гетеродина, что позволяет подсоединить базу Т4 ко всему контуру, не усложняя коммутации гетеродинных контуров. [14]
 |
Схемы базовых элементов И-НЕ.| Схема двунаправленного ключа на транзисторах с разным типом проводимости. [15] |
Страницы: 1 2 3 4