Входная емкость - транзистор
Cтраница 4
Для получения наибольшего усиления при наименьшем количестве транзисторов было решено применять транзисторы с трансформаторной связью. В первом каскаде использован контур LC, где L C совместно с входной и выходной емкостями транзисторов Тх и Т2 при разомкнутой обратной связи настраиваются на нужную частоту. С 2 и входная емкость транзистора Т2 выбраны так, чтобы входное сопротивление транзистора Т2 играло роль высокого сопротивления, включенного параллельно коллекторной нагрузке транзистора Tj. Это обеспечивает хорошее согласование транзисторов. Если это необходимо для улучшения частотной характеристики, величину L9j можно регулировать. [46]
Две другие схемы согласования используются в межкаскадной связи УПЧ. В каскадах УПЧ с полосовыми фильтрами применение емкостной схемы согласования увеличивает добротность контуров. В емкостной схеме входная емкость транзистора следующего каскада образует одну из емкостей делителя и поэтому в цепи согласования используется только один конденсатор. [47]
 |
Схема блока УКВ радиоприемника Орион-ЗОЬ. [48] |
Блок УКВ радиоприемника Орион-301 ( рис. 5.7) выполнен на одном транзисторе VT1 и одной интегральной микросхеме. Этот блок является унифицированным и используется в ряде других моделей переносных радиоприемников к магнитол 3 го класса. В контур входит также входная емкость транзистора VT1, выполняющего функцию УВЧ. [49]
Усилитель высокой частоты собран по схеме с общей базой, которая обеспечивает достаточное усиление высоких частот. В эмит-терную цепь через резистор Rs подается напряжение от источника положительной полярности. Во входной цепи катушка LJ, конденсатор Са и параллельная ему входная емкость транзистора Т составляют резонансный контур, обеспечивающий увеличение напряжения в 1 5 раза. Последовательный контур из С2 и L настроен на промежуточную частоту канала изображения. Иногда во входной цепи имеется несколько таких режекторных контуров, которые уменьшают проникание из антенны сигналов помех на частоте ПЧ изображения и звука. Конденсаторы Сз-С обеспечивают неполное подключение входного контура к эмиттерной цепи транзистора Гь что дает возможность уменьшить шунтирующее действие этой цепи на контур и сформировать требуемую полосу пропускания входной цепи. [50]
 |
Фрагмент диодной ПЛМ. [51] |
Матрицы на основе МОП-транзисторов обеспечивают наиболее высокую плотность компоновки элементов, имеют минимальную потребляемую мощность, однако уступают по быстродействию матрицам на биполярных транзисторах. На рис. 3.9 показан фрагмент ПЛМ на МОП-транзисторах. При подаче на вход ТИ напряжения низкого уровня закрывается заземляющий п - МОП транзистор Т3, открываются транзисторы Тн и происходит заряд емкостей выходных шин до напряжения логической единицы. Входные сигналы на шинах a, b заряжают входные емкости транзисторов матрицы. Так как транзисторы матрицы уже подготовлены ( их входные емкости заряжены), происходит достаточно быстрое установление уровней напряжения на выходах ПЛМ. [52]
На рис. 2 - 42 приведена схема каскодного преобразователя частоты с совмещенным гетеродином. Здесь транзистор T-i используется для преобразования частоты, причем для входного сигнала он включен по схеме ОЭ, а в гетеродине - по схеме ОК. Транзистор Tj усиливает напряжение ПЧ в схеме ОБ, благодаря малой проходной емкости которой возможно включение в цепь коллектора контура с высоким резонансным сопротивлением. В отличие от предьщущей схемы ток гетеродина здесь не протекает через контур ПЧ, а замыкается через входную емкость транзистора Т и конденсатор Cg. Благодаря этому уменьшаются интерференционные свисты за счет меньшей модуляции напряжения гетеродина сигналом ПЧ и его гармониками. [53]
Входное сопротивление смесительного каскада на транзисторе Т2 достаточно низкое, поэтому связь между контуром УВЧ и входом смесителя выбрана слабой ( Сц5 1 пФ), чтобы сохранить необходимую добротность и селективность контура УВЧ. В базовой цепи смесителя включен последовательный резонансный контур Др2 Ci2, настроенный на ПЧ 10 7 МГц, что дает дополнительное ослабление сигналов помехи с частотой, равной ПЧ. Конденсатор подключен параллельно дросселю Дрг и образует с ним параллельный контур, резонансная частота которого лежит в районе рабочих частот смесителя, что повышает входное сопротивление смесителя для частот принимаемого диапазона. Но конденсатор Си подключен также параллельно входной емкости транзистора смесителя и поэтому резко уменьшает относительное изменение входной емкости смесителя при воздействии сигналов с большим уровнем. [54]
Скорость переключения зависит также от величины управляющего базового тока. Скорость переключения биполярных транзисторов ограничена главным образом характеристиками накопления неосновных носителей в базовой области. Постоянная времени базы, или входа, может быть определена как RxCib, где Rx - общее входное сопротивление базовой цепи, а С ib - входная емкость транзистора, которая должна зарядиться для включения транзистора. Время выключения пропорционально RL C0, где RI. [55]
Минимальное значение Re взаимосвязано с током / с, если ток увеличить, то во столько же раз можно снизить Яс но при этом возрастает потребляемая мощность. Значит, времена tcri и tHp также взаимосвязаны. Из (5.18) видно, что для снижения / Сп ( а значит, и / Нр) необходимо увеличивать удельную крутизну транзистора ( главным образом за счет снижения длины канала), снижать пороговое напряжение и выходную емкость, а также повышать напряжение питания. В цифровых интегральных схемах выход схемы ключа соединяется со входами аналогичных схем. Поэтому задача уменьшения Сн сводится к снижению входной емкости транзистора. [56]
Страницы: 1 2 3 4